[发明专利]充分成型的扇出

权利要求书

1.一种方法，包括：

构建与半导体管芯单元的表面耦合的隔板元件，其中所述隔板元件被配置成在所述半导体管芯单元和载体的表面之间产生空隙；以及

将所述半导体管芯单元包封在模塑料内，其中所述包封包括将所述模塑料引入所述空隙中。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括在将所述模塑料引入所述空隙中之前将所述隔板元件附接到所述载体。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在包封所述半导体管芯单元之前，使半导体晶片变薄，所述半导体管芯单元构建在所述半导体晶片上；以及

切割所述半导体晶片以将所述半导体管芯单元与多个其他半导体管芯单元分隔开。

4.根据权利要求1所述的方法，其中将所述半导体管芯包封在所述模塑料内还包括执行压缩成型工艺。

5.根据权利要求1所述的方法，其中在所述半导体管芯单元的顶部上的所述模塑料的第一厚度小于在所述半导体管芯单元的底部下面的所述模塑料的第二厚度的三倍。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述隔板元件包括与所述半导体管芯单元的至少一个接合焊盘电耦合的至少一个导电接线柱。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括在所述模塑料的外表面处暴露所述至少一个导电接线柱。

8.根据权利要求6所述的方法，还包括在将所述半导体管芯单元包封在所述模塑料中之前构建与所述半导体管芯单元的多个接合焊盘电耦合的扇入型再分布层（RDL）结构，其中所述至少一个导电接线柱被电镀到所述扇入型RDL结构上。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括在所述模塑料的表面上构建扇出型再分布层（RDL）结构，其中所述扇出型RDL与所述至少一个导电接线柱电耦合。

10.根据权利要求6所述的方法，还包括将多个锡球贴到所述扇出型RDL结构以产生球栅阵列（BGA）封装件。

11.根据权利要求1所述的方法，还包括在将所述半导体管芯单元包封在所述模塑料中后，将所包封的半导体管芯单元与多个其他包封的半导体管芯单元分隔开。

12.一种半导体设备封装件，包括：

半导体管芯单元；

多个导电接线柱，其与所述半导体管芯单元的有源表面上的一个或多个接合焊盘电耦合；以及

模塑料，其实质上覆盖所述半导体管芯单元的有源表面，其中所述导电接线柱通过再分布层（RDL）与在所述模塑料外部暴露的导电材料电耦合。

13.根据权利要求12所述的半导体设备封装件，其中所述再分布层（RDL）结构是扇出型RDL并与所述多个导电接线柱电耦合。

14.根据权利要求12所述的半导体设备封装件，其中在所述模塑料外部暴露的所述导电材料包括与所述扇出型RDL结构电耦合的多个锡球，其中所述半导体设备封装件是球栅阵列（BGA）封装件。

15.根据权利要求12所述的半导体设备封装件，还包括将一个或多个接合焊盘连接到所述多个导电接线柱的扇入型再分布层（RDL）。

16.一种方法，包括：

通过将半导体管芯单元实质上包封在模塑料内来构建半导体设备封装件；以及

构建将所述半导体管芯单元的接合焊盘电连接到所述半导体设备封装件的外表面处的导电材料的再分布层（RDL）结构。

17.根据权利要求16所述的方法，其中将所述半导体管芯单元包封在所述模塑料内包括：

在所述半导体管芯单元和支撑所述半导体管芯单元的载体的表面之间产生空隙；以及

用所述模塑料填充所述空隙。

18.根据权利要求16所述的方法，还包括：

构建与所述半导体管芯单元的所述接合焊盘电耦合的多个导电接线柱；

将所述导电接线柱附接到载体的表面，其中所述多个导电接线柱被配置成维持所述半导体管芯单元和所述载体的所述表面之间的空隙。

19.根据权利要求18所述的方法，还包括在所述半导体管芯单元的表面上构建扇入型再分布层（RDL）结构，其中所述扇入型RDL被配置成将所述接合焊盘与所述多个导电接线柱电耦合。

20.根据权利要求18所述的方法，还包括在将所述半导体管芯单元实质上包封在所述模塑料中后，将所述RDL结构与所述多个导电接线柱电耦合，其中所述RDL结构是扇出型RDL结构。