[发明专利]一种半导体材料的激光加工方法

权利要求书

1.一种半导体材料的激光加工方法，所述半导体材料包括元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体和非晶态与液态半导体，如硅、锗、砷化镓、磷化镓、磷化铟、蓝宝石以及掺杂（硼、磷、铟和锑）制成其它化合物半导体，其特征是，所述加工方法采用多光束激光系统对半导体材在同一加工位置同时进行精密加工或是单束激光系统对半导体材在同一加工位置进行重复多次精密加工。

2.根据权利要求1所述的一种半导体材料的激光加工方法，其特征是，所述多光束激光加工系统包括两路或两路以上的激光光束，多光束激光中的各光路有独立的焦距调整定位系统，两路激光间距1～100000μm，激光器为固体、CO₂、准分子激光器；波长195～1064nm，频率20～150KHZ，功率1～100W，焦点1～1000mm，加工速度40～1500mm/s。

3.根据权利要求1所述的一种半导体材料的激光加工方法，其特征是，所述多光束激光系统同时进行的精密加工，先利用第一路激光对半导体材料进行切割加工，第二路激光在第一路激光加工的相同位置进行加工，第二路激光的频率、焦点、激光能量、加工速度等工艺参数均可与第一路激光的频率、焦点、激光能量、加工速度不同，其作用是对第一路激光与半导体材料作用产生的位于切割道两边缘、切割道内部堆积的熔渣进行加工，将切割道边缘的熔渣和切割道内部的熔渣去除，使得切割道边缘变得光滑，内部交联状的重结晶熔渣被清除。

4.根据权利要求1所述的一种半导体材料的激光加工方法，其特征是，所述单光束激光系统进行的重复多次精密加工，其激光器为固体、CO₂、准分子激光器，波长195～1064nm，频率20～150KHZ，功率1～100W，焦点1～1000mm，加工速度40～1500mm/s，利用激光对半导体材料进行第一次切割加工，在相同位置进行重复第二次激光加工，第二次加工的激光频率、焦点、功率、加工速度等参数均可与第一次激光的频率、焦点、功率、加工速度不同，其作用是对第一次激光与半导体材料作用产生的位于切割道两边缘、切割道内部堆积的熔渣进行加工，将切割道边缘的熔渣和切割道内部的熔渣去除，使得切割道边缘变得光滑，内部交联状的重结晶熔渣被清除。

5.根据权利要求1或4所述的一种半导体材料的激光加工方法，其特征是，所述单光束激光系统的重复加工方法中所提及的“重复多次”为两次或两次以上。