[发明专利]Flash灵敏放大器有效

专利信息
申请号: 201210306027.4 申请日: 2012-08-24
公开(公告)号: CN102831921A 公开(公告)日: 2012-12-19
发明(设计)人: 王源;黄鹏;杜刚;康晋锋;贾嵩;张兴 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: G11C7/06 分类号: G11C7/06
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 王莹
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: flash 灵敏 放大器
【权利要求书】:

1.一种Flash灵敏放大器,其特征在于,包括:

参考电压发生电路,用于生成参考电压信号,并将所述参考电压信号发送至电流放大电路;

电流放大电路,与所述参考电压发生电路相连,用于根据所述参考电压,放大流经Flash的存储单元阵列中的存储单元以及参考单元阵列中的参考单元的电流;

比较器,分别与存储单元阵列位线以及参考单元阵列位线相连,用于放大所述存储单元阵列位线以及参考单元阵列位线上的电压信号;

存储单元阵列位线,连接存储单元阵列以及所述电流放大电路;

参考单元阵列位线,连接参考单元阵列以及所述电流放大电路;

预充电电路,与所述存储单元阵列位线相连,用于对所述存储单元阵列位线上的电容负载进行预充电。

2.如权利要求1所述的Flash灵敏放大器,其特征在于,所述电流放大电路进一步包括六个晶体管,其中:

第一晶体管以及第二晶体管的源极分别接地,第一晶体管的栅极与第二晶体管的栅极相连,第一晶体管的漏极与第三晶体管的漏极相连,第二晶体管的漏极与第四晶体管的漏极相连,第一晶体管的漏极还与第一晶体管的栅极连接,并与所述存储单元阵列位线相连,第二晶体管的漏极还与所述参考单元阵列位线相连,第二晶体管的漏极还与所述比较器的正输入端相连;第三晶体管的栅极分别与第四晶体管以及第五晶体管的栅极相连,第三晶体管、第四晶体管以及第五晶体管的源极分别连接电源;第五晶体管的漏极与第六晶体管的漏极相连,且第五晶体管的漏极还与第五晶体管的栅极相连;第六晶体管的源极接地,第六晶体管的栅极与所述参考电压发生电路相连。

3.如权利要求2所述的Flash灵敏放大器,其特征在于,所述参考电压发生电路进一步包括第七晶体管以及电流源,其中:

第七晶体管的栅极与第七晶体管的漏极相连,第七晶体管的源极接地,第七晶体管的漏极还与电流源的一端以及第六晶体管的栅极相连,所述电流源的另一端与电源相连。

4.如权利要求3所述的Flash灵敏放大器,其特征在于,所述参考电压发生电路进一步包括第二反相器,所述第二反相器的输入端与输出端相连,且所述第二反相器的输出端与所述第六晶体管的栅极相连。

5.如权利要求3所述的Flash灵敏放大器,其特征在于,所述预充电电路进一步包括第一反相器以及第八晶体管,其中:

所述第一反相器的输入端与所述第八晶体管的源极相连,且所述第八晶体管的源极分别与所述比较器的负输入端以及所述存储单元阵列位线相连,所述第八晶体管的栅极与所述第一反相器的输出端相连,且所述第八晶体管的漏极与电源相连。

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