[发明专利]一种纳米结构复合LED陶瓷基板及其制造方法

权利要求书

1.一种纳米结构复合LED陶瓷基板的制造方法，其特征在于包括以下步骤：

    a、配粉，按粉料重量百分比，氧化铝为75~85%、氧化锌和氧化镁为10~20%、稀土元素和纳米无机高分子3~7%，按配比总量100%将粉料配好；

    b、混合，将按份配好的粉料与纯水按1：2的比例混合成浆料；

    c、球磨，将混合所得浆料置入球磨机中研磨，研磨时间至少为192小时，形成粒径为0.5μm的纳米高分子-陶瓷复合浆料；

    d、烘干，使用泵将研磨好的复合浆料抽出到不锈钢烤盘，然后将烤盘送入无尘烤箱，将浆料烘干；

    e、粗磨，将烘干的复合浆料敲打成小块状，再用粉碎机粉碎成粉状陶瓷粉密封保存；

    f、造粒，在滤袋式循环系统中，按重量百分比添加粘结剂≤10%、纯水≤40%、余量为陶瓷粉，混合搅拌制成浆，经珠磨、冷冻、喷雾造粒、干燥、自动筛选分级，制成的陶瓷粒料密封保存；

    g、成形， 在成型机中，陶瓷粒料经相关治具和模具制成陶瓷板生坯；

    h、烧结，将陶瓷板生坯置于匣钵中，在高温炉中烧结成陶瓷板熟坯，烧结温度范围为1300℃~1400℃；

    i、熟坯研磨，将合格的陶瓷板熟坯置于双面球磨机中研磨至其厚度符合要求，研磨完后用清水洗干净；

    j、熟坯抛光，将研磨完后的陶瓷板熟坯置于双面球磨机中进行抛光至其外面表面光滑度符合要求，研磨完后用超声波清洗干净，并烘烤干燥；

    k、线路制作，在网印机中，对干燥陶瓷板熟坯进行金属线路网印，将金属膏通过网印机网板印在陶瓷板熟坯上，并将陶瓷板熟坯置于烧附炉中将金属膏烧附成金属线路，再印制保护层、送入烤箱烘烤干燥后制成陶瓷基板；

    l、布植晶片，先在网印机中布植晶片焊垫，然后在布晶片机系统中进行布植晶片、固定晶片、烘烤干燥，最后进行烧附。

2.如权利要求1所述的纳米结构复合LED陶瓷基板的制造方法，其特征在于：所述步骤a中，纳米无机高分子一维<100nm，其余粉料粒径为1~2μm。

3.如权利要求1所述的纳米结构复合LED陶瓷基板的制造方法，其特征在于：所述步骤a中，氧化铝为80%、氧化锌和氧化镁为150%、稀土元素和纳米无机高分子5%。

4.如权利要求1所述的纳米结构复合LED陶瓷基板的制造方法，其特征在于：所述步骤b中，纯水的电阻值>5MΩ。

5.如权利要求1所述的纳米结构复合LED陶瓷基板的制造方法，其特征在于：所述步骤b中，混合成的浆料中，还添加有化学研磨剂。

6.如权利要求1所述的纳米结构复合LED陶瓷基板的制造方法，其特征在于：所述步骤c中，球磨机中的研磨球料径分别为10mm、12mm、16mm和18mm,其数量比为1:1:1:1。

7.如权利要求1所述的纳米结构复合LED陶瓷基板的制造方法，其特征在于：所述步骤c中，球磨机中的压力<5kg/cm²。

8.如权利要求1所述的纳米结构复合LED陶瓷基板的制造方法，其特征在于：所述步骤c中，球磨机中的转速为30rpm±1rpm。

9.一种纳米结构复合LED陶瓷基板，由权利要求1~8任一项所述的纳米结构复合LED陶瓷基板的制造方法制成，其特征在于：由氧化锌、氧化镁、稀土元素和纳米无机高分子在氧化铝中形成半导性电子粒界层。

10.如权利要求9所述的纳米结构复合LED陶瓷基板，其特征在于：其形状为圆形、正方形或长方形。