[发明专利]非挥发存储单元

权利要求书

1.一种非挥发存储单元，其特征在于包括：

耦合装置，形成于第一导电区；及

第一选择晶体管，串联于第一浮动闸极晶体管和第二选择晶体管，其中

该第一选择晶体管、该第一浮动闸极晶体管和该第二选择晶体管皆

形成于第二导电区；

其中该耦合装置的电极和该第一浮动闸极晶体管的闸极是为一体成型的

浮动闸极；其中该第一导电区、该第二导电区皆形成于第三导电区；

其中该第一导电区、该第二导电区和该第三导电区皆是掺杂井。

2.如权利要求1所述的非挥发存储单元，其特征在于，该第一导电区和该第二导电区是属于第一导电类型，以及该第三导电区是属于第二导电类型。

3.如权利要求1所述的非挥发存储单元，其特征在于，该浮动闸极包括：

第一闸极部，用以形成该耦合装置；及

第二闸极部，用以形成该第一浮动闸极晶体管；

其中该第一闸极部的闸极面积是大于该第二闸极部的闸极面积。

4.如权利要求1所述的非挥发存储单元，其特征在于，该耦合装置是由金属氧化物半导体电容或金属氧化物半场效晶体管形成。

5.如权利要求1所述的非挥发存储单元，其特征在于，该第一浮动闸极晶体管是介于该第一选择晶体管与该第二选择晶体管之间。

6.如权利要求1所述的非挥发存储单元，其特征在于，还包括：

控制线，电连接于该耦合装置；

字符线，电连接于该第一选择晶体管的闸极；

选择闸极，电连接于该第二选择晶体管的闸极；

位线，电连接于该第二选择晶体管的汲极区；及

源极线，电连接于该第一选择晶体管的源极区。

7.如权利要求6所述的非挥发存储单元，其特征在于，在读取操作中，施加在该控制线的控制线电压、施加在该字符线的字符线电压、施加在该选择闸极的选择闸极电压、施加在该位线的位线电压、施加在该源极线的源极线电压、施加在该第二导电区的第一井电压以及施加在该第三导电区的第二井电压是被设置为用以侦测流经串联连接的该第一选择晶体管、该第一浮动闸极晶体管以及该第二选择晶体管的电流。

8.如权利要求6所述的非挥发存储单元，其特征在于，在写入操作中，施加在该控制线的控制线电压、施加在该字符线的字符线电压、施加在该选择闸极的选择闸极电压、施加在该位线的位线电压、施加在该源极线的源极线电压、施加在该第二导电区的第一井电压以及施加在该第三导电区的第二井电压是被设置为用以在该第一浮动闸极晶体管引发傅勒-诺德翰穿隧注入。

9.如权利要求6所述的非挥发存储单元，其特征在于，在写入抑制操作中，施加在该控制线的控制线电压、施加在该字符线的字符线电压、施加在该选择闸极的选择闸极电压、施加在该位线的位线电压、施加在该源极线的源极线电压、施加在该第二导电区的第一井电压以及施加在该第三导电区的第二井电压是被设置为用以在该第一浮动闸极晶体管引发信道升压。

10.如权利要求6所述的非挥发存储单元，其特征在于，在抹除操作中，施加在该控制线的控制线电压、施加在该字符线的字符线电压、施加在该选择闸极的选择闸极电压、施加在该位线的位线电压、施加在该源极线的源极线电压、施加在该第二导电区的第一井电压以及施加在该第三导电区的第二井电压是被设置为用以在该第一浮动闸极晶体管引发傅勒-诺德翰穿隧射出。

11.如权利要求1所述的非挥发存储单元，其特征在于，还包括：第二浮动闸极晶体管，形成于第四导电区，其中该第四导电区，形成于该第三导电区，以及该第二浮动闸极晶体管的闸极、该耦合装置的电极和该第一浮动闸极晶体管的闸极是为该一体成型的浮动闸极。

12.如权利要求11所述的非挥发存储单元，其特征在于，该第一导电区、该第二导电区以及该第四导电区是属于第一导电类型，以及该第三导电区是属于第二导电类型。

13.如权利要求11所述的非挥发存储单元，其特征在于，该浮动闸极包括：

第一闸极部，用以形成该耦合装置；及

第二闸极部，用以形成该第一浮动闸极晶体管和该第二浮动闸极晶体管；

其中该第一闸极部的闸极面积是大于该第二闸极部的闸极面积。