[发明专利]半导体器件的制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，包括以下步骤：

a)提供第一半导体衬底；

b)在第一半导体衬底上制备单晶牺牲层；

c)在单晶牺牲层上制备半导体器件的功能层；

d)将半导体器件的功能层分离成具有预定阵列图案的分立的半导体器件的功能单元，并暴露各功能单元之间的单晶牺牲层；

e)采用腐蚀溶液腐蚀单晶牺牲层，实现第一半导体衬底与半导体器件的功能层的剥离。

2.根据权利要求1中所述的半导体器件的制备方法，其中，在步骤d)中，通过去除半导体器件的功能层中除所述预定陈列图案以外的部分，来形成具有所述预定阵列图案的分立的半导体器件的功能单元。

3.根据权利要求2中所述的半导体器件的制备方法，其中，

采用光刻工艺，在半导体器件的功能层上形成具有所述预定陈列图案的光刻胶图案；

去除半导体器件的功能层中未被光刻胶覆盖的部分，以形成具有所述预定阵列图案的分立的半导体器件的功能单元。

4.根据权利要求1中所述的半导体器件的制备方法，其中，在步骤c)和d)之间，还包括步骤：

在半导体器件的功能层上制备具有所述预定阵列图案的金属支撑层。

5.根据权利要求4所述的半导体器件的制备方法，其中，在步骤d)中，通过去除半导体器件的功能层中除具有所述预定陈列图案的金属支撑层以外的部分，形成具有所述预定阵列图案的分立的半导体器件的功能单元。

6.根据权利要求5所述的半导体器件的制备方法，其中，在步骤d)和e)之间，还包括以下步骤：

在分立的半导体器件的功能单元和金属支撑层上层叠支撑模具，把分立的半导体器件的功能单元连接成一个整体，其中，所述支撑模具具有与所述预定阵列图案相同的阵列单元的图案，但在各阵列单元之间具有相互连接部，从而形成整体的支撑模具。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制备方法，还包括以下步骤：

f)将不同于第一半导体衬底的第二衬底层叠到支撑模具上；

g)在半导体器件的功能层上进行制备最终的半导体器件所需的后续加工；

h)将制成的半导体器件与支撑模具和第二衬底分离。

8.根据权利要求4所述的半导体器件的制备方法，其中，在半导体器件的功能层上制备具有所述预定阵列图案的金属支撑层的步骤包括：

采用第一光刻工艺，在半导体器件的功能层上形成光刻胶图案，所述光刻胶图案与所述预定阵列图案互补；

在半导体器件的功能层上未被光刻胶覆盖的部分形成具有所述预定阵列图案的金属支撑层。

9.根据权利要求5所述的半导体器件的制备方法，其中，

去除半导体器件的功能层中除所述预定陈列图案的金属支撑层以外的部分的步骤包括：

采用第二光刻工艺，在具有所述预定陈列图案的金属支撑层上形成光刻胶；

去除半导体器件的功能层中未被光刻胶覆盖的部分，以形成分立的半导体器件的功能单元。

10.根据权利要求7所述的半导体器件的制备方法，其中，所述的第一半导体衬底为砷化镓衬底，所述牺牲层为砷化铝层或砷化镓铝层。

11.根据权利要求10所述的半导体器件的制备方法，其中，所述的第二衬底为玻璃衬底、硅衬底或金属衬底。

12.根据权利要求1-11中任意一项所述的半导体器件的制备方法，其中，所制备的半导体器件为砷化镓薄膜电池、砷化镓发光二极管、砷化镓激光二极管、砷化镓光探测器和砷化镓晶体管中的一种。