[发明专利]掺杂失效分析方法

权利要求书

1.一种掺杂失效的分析方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、提供一掺杂符合要求的良品硅片，该良品硅片用于对待测样品硅片进行比较分析；

步骤二、对所述良品硅片和所述待测样品硅片进行处理，该处理将所述良品硅片和所述待测样品硅片的衬底表面上的膜层结构都去除，直至露出所述良品硅片和所述待测样品硅片的衬底表面；

步骤三、将处理过的所述良品硅片和所述待测样品硅片分别放置在一底座上；

步骤四、分别在所述良品硅片和所述待测样品硅片上选定一测试图形，所述良品硅片上的测试图形和所述待测样品硅片上的测试图形的尺寸相同；

步骤五、设定进行扩展电阻测试的测试条件；

步骤六、按照所设定的测试条件，分别对所述良品硅片上的测试图形和所述待测样品硅片上的测试图形进行扩展电阻测试，测试后分别得到所述良品硅片的电阻率或载流子浓度的数据、以及所述待测样品硅片的电阻率或载流子浓度的数据；

步骤七、对所述良品硅片和所述待测样品硅片的电阻率或载流子浓度的数据进行比较，当所述待测样品硅片的电阻率或载流子浓度为所述良品硅片电阻率或载流子浓度的95%～105%时，所述待测样品硅片的掺杂有效；当所述待测样品硅片的电阻率或载流子浓度为所述良品硅片电阻率或载流子浓度的95%～105%的范围之外时，所述待测样品硅片的掺杂失效；根据所述良品硅片和所述待测样品硅片的电阻率或载流子浓度的差值来估算所述待测样品硅片的掺杂剂量失效大小。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤二中的处理工艺采用氢氟酸进行腐蚀处理。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤三中的所述底座为无倾角的平面底座。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤四中所选定的所述良品硅片和所述待测样品硅片上的测试图形要求是：所述良品硅片和所述待测样品硅片上的测试图形的区域都要平坦且杂质分布均匀，所述良品硅片和所述待测样品硅片上的测试图形的长度都分别大于所述扩展电阻测试的针距，所述良品硅片和所述待测样品硅片上的测试图形的宽度都分别大于所述扩展电阻测试的针的直径。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤五中设定进行扩展电阻测试的测试条件包括：所述扩展电阻测试的针的步进值能从所述扩展电阻测试的测试系统中给出的多个步进值中任意选择一个，所述扩展电阻测试的倾角能从所述扩展电阻测试的测试系统中给出的多个非零角度中任意选择一个，所述扩展电阻测试的测试点数设定为小于所述测试图形的宽度除以所述扩展电阻测试的针的步进值；所述扩展电阻测试的测试点都要分别落在所述良品硅片和所述待测样品硅片上的测试图形中，且所述良品硅片的测试的起始位置和终止位置在所述良品硅片的测试图形中位置和所述待测样品硅片的测试的起始位置和终止位置在所述待测样品硅片的测试图形中位置相同。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：步骤六中测试得到所述良品硅片的电阻率或载流子浓度的数据以及所述待测样品硅片的电阻率或载流子浓度的数据和所述扩展电阻测试的倾角无关、和所述扩展电阻测试的各测试点以及测试点的数量有关。