[发明专利]图像传感器、成像装置和活体成像装置有效
申请号: | 201210294805.2 | 申请日: | 2012-08-17 |
公开(公告)号: | CN102956655A | 公开(公告)日: | 2013-03-06 |
发明(设计)人: | 中田征志 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张贵东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 成像 装置 活体 | ||
1.一种图像传感器,包括:
像素单元,
所述像素单元包括
光电二极管,
第一滤色镜和第二滤色镜,其每个布置在所述光电二极管上方的平面上的不同位置,以及
布置在所述第一滤色镜上的第一芯片上透镜和布置在所述第二滤色镜上的第二芯片上透镜。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,
所述第一滤色镜和第二滤色镜的每个具有相互不同的光谱特性。
3.根据权利要求2所述的图像传感器,其中,
所述像素单元输出对应于所述第一滤色镜和第二滤色镜的光谱特性的合成结果的电平的电信号。
4.根据权利要求2所述的图像传感器,其中,
所述光电二极管包括布置在所述第一滤色镜下的第一光电二极管和布置在所述第二滤色镜下的第二光电二极管,以及
将从像素单元输出的、具有对应于所述第一滤色镜和第二滤色镜的各自光谱特性的电平的电信号相加。
5.根据权利要求4所述的图像传感器,其中,
所述像素单元还包括共同浮置扩散,其将从所述第一光电二极管和第二光电二极管的每个输出的电信号相加。
6.根据权利要求4所述的图像传感器,其中,
从所述第一光电二极管和第二光电二极管输出的电信号的每个通过单独的预设增益放大。
7.根据权利要求4所述的图像传感器,其中,
所述第一光电二极管和第二光电二极管的每个单独地预设有电荷累积时间。
8.根据权利要求2所述的图像传感器,其中,
所述第一滤色镜和第二滤色镜的每个具有透射红外光的特性。
9.根据权利要求2所述的图像传感器,其中,
所述像素单元包括
滤色镜组,其包括除了所述第一滤色镜和第二滤色镜以外的一个或多个滤色镜,以及
芯片上透镜组,其包括除了所述第一芯片上透镜和第二芯片上透镜外的一个或多个芯片上透镜,所述一个或多个芯片上透镜布置在所述除了所述第一滤色镜和第二滤色镜以外的一个或多个滤色镜上。
10.根据权利要求9所述的图像传感器,其中,
所述像素单元输出对应于所述滤色镜组的各自的光谱特性的合成结果的电平的电信号。
11.根据权利要求9所述的图像传感器,其中,
所述光电二极管由每个布置在所述滤色镜组下的光电二极管组构成,以及
将从像素单元输出的、每个具有对应于所述滤色镜组的光谱特性的电平的电信号相加。
12.根据权利要求11所述的图像传感器,其中,
所述像素单元还包括共同浮置扩散,其将从所述光电二极管组输出的每个电信号相加。
13.根据权利要求11所述的图像传感器,其中,
从所述光电二极管组输出的电信号的每个通过单独的预设增益放大。
14.根据权利要求11所述的图像传感器,其中,
每个光电二极管组单独地预设有电荷累积时间。
15.根据权利要求10所述的图像传感器,其中,
所述滤色镜组的每个具有透射红外光的特性。
16.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,
在所述光电二极管的上方形成波导。
17.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,
所述光电二极管具有多个输出模式,其通过所述图像传感器的内部或外部控制可选择性地切换。
18.一种成像装置,安装有包括像素单元的图像传感器,
所述像素单元包括
光电二极管,
第一滤色镜和第二滤色镜,其每个布置在所述光电二极管上方的平面上的不同位置,以及
布置在所述第一滤色镜上的第一芯片上透镜和布置在所述第二滤色镜上的第二芯片上透镜。
19.一种活体成像装置,包括安装有包括像素单元的图像传感器的成像装置,
所述像素单元包括
光电二极管,
第一滤色镜和第二滤色镜,其每个布置在所述光电二极管上方的平面上的不同位置,以及
布置在所述第一滤色镜上的第一芯片上透镜和布置在所述第二滤色镜上的第二芯片上透镜,
其中,所述成像装置获取作为目标的活体的图像。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的