[发明专利]晶体硅太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种晶体硅太阳能电池的制备方法，包括制绒、扩散、湿法刻蚀、减反射膜的沉积、丝网印刷和烧结，其特征在于，所述减反射膜的沉积步骤包括：

遮挡硅片上的主栅线位置；以及

沉积氮化硅形成所述减反射膜。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用等离子体增强化学气相沉积法沉积氮化硅。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述遮挡硅片上的主栅线位置是通过将遮挡体放置在所述硅片上的主栅线位置进行物理遮挡而实现的。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述遮挡体的材质是石墨。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述遮挡体包括：

多条遮挡条，与所述硅片的主栅线位置相适配。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述遮挡体进一步包括固定所述遮挡条的框架。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述框架与所述硅片的外周相适配。