[发明专利]电子部件用层叠布线膜以及覆盖层形成用溅射靶材

说明书

技术领域

本发明涉及要求耐湿性、耐氧化性的电子部件用层叠布线膜以及用于形成覆盖该层叠布线膜的主导电层的一面和/或另一面的覆盖层的覆盖层形成用溅射靶材。

背景技术

不仅在液晶显示器（以下称为LCD）、等离子体显示面板（以下称为PDP）、用于电子纸等的电泳型显示器等的平面显示装置（平板显示器、以下称为FPD）中需要形成低电阻的布线膜，而且在各种半导体器件、薄膜传感器、磁头等薄膜电子部件中也需要形成低电阻的布线膜。例如，就在玻璃基板上形成薄膜器件的LCD、PDP、有机EL显示器等的FPD而言，伴随着大画面、高精细、高速应答化，对其布线膜要求低电阻化。进而，近年来，已开发出对FPD赋予操作性的触摸面板、使用了树脂基板的柔性FPD等新产品。

近年来，被用作FPD的驱动元件的薄膜晶体管（TFT）使用Si半导体膜，若作为低电阻布线膜的Al与Si直接接触，则因TFT制造中的加热工序而导致热扩散，使TFT的特性劣化。因此，可使用以耐热性优异的纯Mo、Mo合金在Al与Si之间作为遮挡膜的层叠布线膜。

另外，在从TFT接出的像素电极或用于便携型终端、平板电脑等的触摸面板的位置检测电极中，通常使用作为透明导电膜的ITO（铟-锡氧化物）。在这种情况下，若作为布线膜的Al与ITO接触，则在其界面生成氧化物而也使电接触性劣化。因此，在Al与ITO之间形成纯Mo、Mo合金作为接触膜而确保与ITO的接触性。

如上所述，要获得发挥Al的低电阻特性的布线膜，纯Mo、Mo合金膜必不可少，需要制成将Al用纯Mo、Mo合金覆盖的层叠布线膜。

进而，近年来，积极进行着使用了被认为比非晶质Si半导体更适于高速驱动的氧化物的透明半导体膜的研究，对这些氧化物半导体的Al层叠膜的接触膜、遮挡膜的覆盖层，也在研究纯Mo的应用。

因此，作为改善纯Mo特性的手段，本申请人提出了耐腐蚀性、耐热性、与基板的密合性优异且低电阻的对Mo添加3~50原子%的V、Nb等而得的Mo合金膜（例如，参照专利文献1）。

专利文献

专利文献1:日本特开2002-190212号公报

发明内容

上述专利文献1中提出的Mo-V、Mo-Nb合金等由于与Mo相比耐腐蚀性、耐热性、与基板的密合性优异，所以被广泛用于在玻璃基板上形成FPD的用途。

然而，在制造FPD时，在基板上形成层叠布线膜后移至下一个工序之际有时被长时间地放置于大气中。另外，在为了提高简便性而使用了树脂膜的轻量且柔性的FPD等中，由于树脂膜与迄今为止的玻璃基板等相比有透湿性，所以对层叠布线膜要求更高的耐湿性。

进而，有时在对FPD的接头部等安装信号线电缆时在大气中进行加热，因此，对层叠布线膜还要求耐氧化性的提高。除此以外，在使用了氧化物的半导体膜中，有时为了提高特性、稳定化而在含氧的气氛下、在形成含氧的保护膜之后，在350℃以上的高温下进行加热处理。因此，对层叠布线膜也提高了提升耐氧化性的要求，以使之在经过这些加热处理后也能维持稳定的特性。

根据本发明人的研究，确认了若用上述Mo-V、Mo-Nb合金、纯Mo，则有时产生如下问题：在上述环境下的耐湿性、耐氧化性不充分，在FPD制造工序中制成层叠布线膜的覆盖层时，发生变色。若耐氧化性不充分，则使电接触性劣化而导致电子部件的可靠性下降。

此外，本发明人确认了如下问题:由于高速驱动，TFT制造工序中的加热温度存在上升的倾向，若经过更高温度下的加热工序，则层叠布线膜所含的合金元素扩散至Al中而使电阻值增大。

本发明的目的在于提供一种使用了由Mo合金构成的覆盖层的电子部件用层叠布线膜以及用于形成覆盖层的溅射靶材，其中，所述覆盖层可改善耐湿性、耐氧化性，在与低电阻的主导电层Al层叠时，即使经过加热工序，也可维持低电阻值。

本发明人鉴于上述课题，致力于新添加至Mo中的元素的最优化，其结果是，发现通过将特定量的Ni与Ti复合添加至Mo中，使耐湿性、耐氧化性提高，并且在制成作为主导电层的Al的覆盖层时，即使经过加热工序，也可维持低电阻值，从而完成了本发明。

即，本发明为一种电子部件用层叠布线膜，是在基板上形成金属膜的电子部件用层叠布线膜，由以Al为主成分的主导电层和覆盖该主导电层的一面和/或另一面的覆盖层构成，该覆盖层为，原子比的组成式由Mo_100-x-y-Ni_x-Ti_y，10≤x≤30、3≤y≤20所表示，余量由不可避免的杂质构成。