[发明专利]一种MOCVD新系统

权利要求书

1.一种MOCVD系统，包括电控箱、混气箱、反应腔、传送箱、尾气处理系统，其特征在于反应腔内用于放置磊晶衬底的载盘为沟槽互通式转动载盘，包括了图形化部分（1），磊晶衬底盛放处（2），互通式沟槽（3），磊晶衬底盛放处（2）为凹形凹槽，互通式沟槽（3）排列于磊晶衬底盛放处（2）周围。

2.权利要求1所述的系统，其特征在于互通式沟槽（3）截面为各种图形。

3.权利要求1所述的系统，其特征在于互通式沟槽（3）截面为椭圆形，2x为椭圆长轴长，2y为短轴长，2z为沟槽开口宽，z＜x＜2z，z＜y＜2z，y＜x，磊晶衬底直径为D，D 1/13＜z＜D 2/13。

4.权利要求1-3所述的系统，其特征在于图形化部分（1）与互通式沟槽（3）沟槽最低处在同一水平面上，或低于沟槽最低处。

5.权利要求1-4所述的系统，其特征在于反应腔内进一步包括旋转式喷淋头，用于喷淋反应腔内所用到的气体，所述的喷淋头与石墨载盘等大，并与石墨载盘上下对应平行，与载盘图形化部分1对应的喷淋头处所喷淋出的气体为保护气体与石墨盘成非直角，其余部分喷淋的气体与载盘成直角。

6.权利要求5所述的系统，其特征在于与载盘图形化部分1对应的喷淋头处所喷淋出的保护气体与石墨载盘的角度小于90°，大于arc tan                                                ，h为石墨载盘与喷淋盘之间的垂直距离，r为石墨载盘衬底盛放处最外围处的半径，r+a为该外围气体束到喷淋盘圆心的距离。

7.权利要求5所述的系统，其特征在于喷淋头与石墨载盘旋转的方向相反。

8.权利要求5所述的系统，其特征在于喷淋头与石墨载盘旋转的速度总和在750-1250转/min之间。

9.权利要求1所述的系统，其特征在于磊晶衬底盛放处（2）的沟槽深度小于等于磊晶前衬底厚度，大于等于1/2磊晶后衬底厚度。