[发明专利]沟槽的形成方法无效
| 申请号： | 201210282655.3 | 申请日： | 2012-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN103035481A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 刘继全 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 高月红 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 形成 方法 | ||
1.一种沟槽的形成方法，其特征在于，包括步骤：
1）在硅衬底上进行介质层生长；
2）沟槽刻蚀；
3）在沟槽顶部及侧壁进行选择性硅外延生长；
4）去除硅衬底上的介质层；
5）经高温热氧化，在硅衬底上表面和沟槽内壁上形成热氧化膜；
6）去除热氧化膜。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤1）中，介质层为SiO2、SiN或SiON中的至少一种；
其中，该介质层的厚度为0.01μm～10μm，并以化学气相沉积或热氧化的方式形成该介质层。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤2）中，沟槽刻蚀采用各项异性的干法刻蚀，以光刻胶为掩模，在预定区域刻蚀出沟槽。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤3）中，选择性硅外延生长的温度为600～1200℃，并以硅源气体和卤化氢的混合气体进行选择性硅外延生长；
其中，硅源气体为一氯氢硅、二氯氢硅、三氯氢硅、四氯氢硅或硅烷中的至少一种；卤化氢气体为氯化氢或氟化氢；硅源气体和卤化氢气体的体积比为0.01～10。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤3）中，选择性外延生长后，在沟槽顶部两侧生长出2个斜面。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤4）中，用湿法刻蚀工艺，去除硅衬底上的介质层。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤5）中，热氧化的温度为800～1300℃，热氧化膜的厚度为10～5000nm。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤6）中，采用湿法刻蚀工艺，去除热氧化膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
