[发明专利]磁传感器的检查装置和检查方法有效

专利信息
申请号: 201210282442.0 申请日: 2012-08-09
公开(公告)号: CN102955144A 公开(公告)日: 2013-03-06
发明(设计)人: 铃木隆嗣 申请(专利权)人: 雅马哈株式会社
主分类号: G01R35/00 分类号: G01R35/00
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 李佳;穆德骏
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 传感器 检查 装置 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及检查装置和检查方法,它们用在磁传感器的检查例程中,特别是用于在预定环境条件下经由磁属性测试对磁传感器的晶片状阵列就它们的磁属性和灵敏度进行检查的例程中。

本申请要求日本专利申请No.2011-175337的优先权,其内容通过引用被包含在此。

背景技术

根据常规已知的磁传感器的磁属性的检查例程,磁传感器每一个被置于使用诸如亥姆霍兹线圈的磁场产生线圈产生的磁场中,并且随后进行测试以测量它们的输出信号。检查在其封装中包围的每个单个磁传感器需要麻烦的处理,并且可能在通过检查被确定为有缺陷的磁传感器的装配成本上遭受资金损失。因为这个原因,有效的方式是集体检查磁传感器的晶片状阵列。已经在诸如PLT 1和PLT 2的各种文件中开发和公开了用于检查磁传感器的晶片状阵列的各种技术。

PLT 1公开了磁传感器芯片的检查方法。在此,将测试探测器与磁传感器芯片接触,然后,在检查的准备阶段,将磁场产生器移动靠近磁传感器芯片。具体地说,线圈探测器的远端接近磁传感器,以便向磁传感器施加磁场,从而使用测试探测器来测量磁传感器的输出信号。线圈探测器的远端能够产生具有单向性的磁场。为了检查暴露于具有多方向的外部磁场的磁传感器的输出信号,需要旋转线圈探测器和磁传感器之间的相对定位。

PLT 2公开了一种通过使用与磁传感器接触的探测器卡的磁传感器的检查方法。具体地说,将包括多个线圈的探测器卡与制造磁传感器的晶片接触;向探测器卡的线圈供应电流,以便向磁传感器施加磁场,从而使用探测器卡来检测磁传感器的输出信号。该技术能够通过改变供应给在探测器卡中包括的多个线圈的电流,来改变施加给磁传感器的磁场的幅度和/或方向。

PLT 3公开了一种弱磁场产生器和磁传感器的检查方法,该磁传感器的检查方法不必涉及磁传感器的检查。在此,向地磁承载传感器施加外部磁场,该地磁承载传感器在单个平面上其间具有直角的两个方向上具有灵敏度,然后,向地磁承载传感器供应电信号,从而分析地磁传感器的输出信号。具体地说,该检查方法利用配备有用于布置磁传感器的插座、磁场产生线圈和磁场传感器的基板台,其中,磁场传感器的检测结果被反馈到磁场产生线圈。

如上所述,一种有效的方式是集体检查多个磁传感器,而不是每次单个磁传感器。在该情况下,需要采用大线圈,该大线圈能够产生覆盖包围多个传感器的较大检查区域的磁场。在PLT 1和PLT 2中公开的上述技术利用配备有线圈的探测器卡;因此,由于其构造限制而难以放大线圈的尺寸。另外,它们可能经历被产生来覆盖大的检查区域的磁场的局部变化。即,PLT 1和PLT 2的上述技术可能在它们的检查结果的精度上变差,因为它们仅控制电流来确定是否使用线圈来产生期望的磁场。

诸如PLT 3的另一种技术可能是对于这个问题的有效解决方案,因为磁场传感器的检测结果被反馈到磁场产生线圈。然而,该技术需要配备有磁场传感器、插座和磁场产生线圈的单个平台,其中,为了防止对于插座和线圈在它们的定位上的干扰,将磁传感器布置在与插座相对的平台的背侧中。该布置可能未精确地检测影响插座中安装的磁传感器的磁场。即,该技术可能遭受低检查精度。

引用列表

专利文献

PLT 1:日本专利申请公布No.S62-55977

PLT 2:日本专利申请公布No.2007-57547

PLT 3:日本专利申请公布No.2004-151056

发明内容

本发明的目的是提供一种检查装置和一种检查方法,它们能够以高精度集体地检查磁传感器的晶片状阵列。

本发明涉及一种磁传感器检查装置,包括:平台,用于在其上安装磁传感器的晶片状阵列,所述平台能够在水平方向和竖直方向上移动;探测器卡,所述探测器卡被定位得与所述平台相对,并且所述探测器卡配备了多个探测器,所述多个探测器与被包围在测量区域中的所述多个磁传感器接触;多个磁场产生线圈,所述多个磁场产生线圈被定位为围绕所述探测器卡和所述平台,以便朝向在所述平台上安装的所述多个磁传感器产生磁场;多个磁场环境测量传感器,所述多个磁场环境测量传感器被布置在围绕所述多个探测器的所述探测器卡的外围部分中;以及,磁场控制器,所述磁场控制器用于基于所述多个磁场环境测量传感器的测量结果来控制由所述多个磁场产生线圈产生的磁场。

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