[发明专利]受光或者发光元件、太阳能电池、光传感器、发光二极管在审
申请号: | 201210281451.8 | 申请日: | 2012-08-09 |
公开(公告)号: | CN103579380A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 渡边知雅;吉田浩;池田昌夫;内田史朗;有持祐之;野町一郎;杨辉;陆书龙;郑新和 | 申请(专利权)人: | 索尼公司;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L33/42 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 薛仑 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 或者 发光 元件 太阳能电池 传感器 发光二极管 | ||
技术领域
本发明涉及受光或者发光元件、太阳能电池、光传感器、发光二极管以及面发光激光元件,更详细地说,涉及在电极具有特征的受光以及发光元件、太阳能电池、光传感器、发光二极管以及面发光激光元件。
背景技术
对太阳能电池或者受光元件的电极,使用具有高导电性以及在可见光区域的高透射率的透明导电膜。此外,从(日本)特开2002-256423可知,用于基于溅射法形成这样的透明导电膜的烧结体目标。用于制作该透明导电膜的烧结体目标的特征在于,由铟、钼、氧构成,在原子数量比上,钼相对于铟以0.003~0.20的比例存在,且烧结体相对密度为90%以上。
此外,从(日本)特开2011-201301可知如下的层叠体:在基体上,具有缓冲层,缓冲层由从以下三种薄膜中选择的至少一种以上薄膜构成:氧化镓薄膜;由镓、铟以及氧构成的氧化物薄膜;以及由镓、铟、铝以及氧构成的氧化物薄膜,在缓冲层上以氧化钛为主成分,形成由包含从如下的元素中选择的至少一种以上元素的氧化物薄膜构成的透明导电膜层:铌、钽、钼、砷、锑、以及钨。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:(日本)特开2002-256423
专利文献2:(日本)特开2011-201301
发明内容
发明要解决的课题
但是,在这些专利公开公报中公开的透明导电膜、透明导电层中,例如,如果钼的含量高,则虽然能够得到低的接触电阻值,但存在透光率降低的问题。
从而,本发明的目的在于,提供一种包含具有低的接触电阻值和高的透光率的电极的受光或者发光元件、太阳能电池、光传感器、发光二极管以及面发光激光元件。
用于解决课题的方法
用于达到上述目的的本发明的受光或者发光元件具有:
多个化合物半导体层层叠而成的受光或者发光层;以及
电极,由透明导电材料构成,具有第1面以及相对于第1面的第2面,在第1面中与受光或者发光层接触,
透明导电材料中包含有由从由钼、钨、铬、钌、钛、镍、锌、铁以及铜组成的组中选择的至少一种金属或者其化合物构成的添加物,
在电极的第1面的界面附近的透明导电材料中包含的添加物的浓度比在电极的第2面的附近的透明导电材料中包含的添加物的浓度还高。
用于达到上述目的的本发明的太阳能电池或者光传感器具有:
多个化合物半导体层层叠而成的受光层;以及
电极,由透明导电材料构成,具有第1面以及相对于第1面的第2面,在第1面中与受光层接触,
透明导电材料中包含有由从由钼、钨、铬、钌、钛、镍、锌、铁以及铜组成的组中选择的至少一种金属或者其化合物构成的添加物,
在电极的第1面的界面附近的透明导电材料中包含的添加物的浓度比在电极的第2面的附近的透明导电材料中包含的添加物的浓度还高。
用于达到上述目的的本发明的发光二极管或者面发光激光元件具有:
多个化合物半导体层层叠而成的发光层;以及
电极,由透明导电材料构成,具有第1面以及相对于第1面的第2面,在第1面中与发光层接触,
透明导电材料中包含有由从由钼、钨、铬、钌、钛、镍、锌、铁以及铜组成的组中选择的至少一种金属或者其化合物构成的添加物,
电极的第1面的界面附近的透明导电材料中包含的添加物的浓度比电极的第2面的附近的透明导电材料中包含的添加物的浓度还高。
对于本发明的受光或者发光元件、太阳能电池、光传感器、发光二极管或者面发光激光元件,在透明导电材料中包含有添加物,而且,由于在电极的第1面的界面附近的透明导电材料中包含的添加物的浓度比在电极的第2面的附近的透明导电材料中包含的添加物的浓度还高,因此,能够提供满足较低的接触电阻值和较高的透光率这两者的电极。
附图说明
图1A以及图1B分别是实施例1以及实施例2的受光或者发光元件、太阳能电池以及光传感器的示意性的截面图。
图2是实施例3的受光或者发光元件以及太阳能电池的示意性的截面图。
图3A以及图3B是实施例4的发光二极管以及面发光激光元件的示意性的截面图。
图4是表示实施例1中的电极的厚度方向的二次离子质量分析结果的曲线图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,未经索尼公司;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210281451.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的