[发明专利]一种有近红外荧光特性的两亲性嵌段聚合物的合成方法有效
申请号: | 201210270478.7 | 申请日: | 2012-08-01 |
公开(公告)号: | CN103254371A | 公开(公告)日: | 2013-08-21 |
发明(设计)人: | 朱秀林;韩冰;周年琛;程振平;朱健;张正彪;张伟;潘向强 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | C08F293/00 | 分类号: | C08F293/00;C08F220/54;C08F212/32;C09K11/06 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 曹毅 |
地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 红外 荧光 特性 两亲性嵌段 聚合物 合成 方法 | ||
1. 一种具有近红外荧光特性的两亲性嵌段聚合物的合成方法,采用RAFT合成方法制备具有近红外荧光性能两亲性嵌段聚合物 PNIPAM-b-PVDHBI,所述聚合物的结构式为:
所述两亲性嵌段聚合物 PNIPAM-b-PVDHBI的分子量分布(Mw/Mn )在1.4以下,具体包括以下步骤:
步骤1)通过邻苯二胺和萘甲酸的固相反应合成2-苯并咪唑基-β-萘(VNBI) 中间体,再用对氯甲基苯乙烯(VBC)和VNBI反应得到单体1-(4-乙烯基苄基)-2-苯并咪唑基-β-萘(VDHBI);
步骤2)以NIPAM为单体,以CPDN为RAFT试剂,通过RAFT活性自由基聚合方法获得均聚物PNIPAM;
步骤3)以PNIPAM为大分子RAFT试剂,以VDHBI为第二单体进行RAFT聚合,合成上述两亲性嵌段聚合物PNIPAM-b-PVDHBI。
2.步骤(1)、(2)、(3)的合成反应式:
根据权利要求1所述的有近红外荧光特性的两亲性嵌段聚合物的合成方法,其特征在于:所述步骤(1)中的所述中间体VNBI是在温度为180℃的情况下通过20分钟的固相反应合成的,所述步骤(2)中的均聚物PNIPAM是在温度为70℃的情况下合成的,所述步骤(3)中的两亲性嵌段聚合物PNIPAM-b-PVDHBI也是在70℃的情况下合成的。
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