[发明专利]一种低维锰氧化物纳米晶体的制备方法有效
| 申请号: | 201210269387.1 | 申请日: | 2012-07-31 |
| 公开(公告)号: | CN102745750A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
| 发明(设计)人: | 张育新;董萌;邱鑫;郝晓东;刘佳;黄明;柳红东;曾莉;张淑平;李新禄;黄佳木 | 申请(专利权)人: | 重庆大学 |
| 主分类号: | C01G45/02 | 分类号: | C01G45/02;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 400044 *** | 国省代码: | 重庆;85 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 低维锰 氧化物 纳米 晶体 制备 方法 | ||
1.一种制备低维锰氧化物纳米晶体的方法,其特征在于包括以下制备工艺:
(1)水油两相法制备无定形二氧化锰纳米颗粒
(2)以二氧化锰纳米颗粒做“种子”,水热合成法制备低维锰氧化物纳米晶体。
2.按照权利要求1所述的无定形结构二氧化锰纳米颗粒,其制备步骤如下:
以高锰酸钾、四正辛基溴化铵和硼氢化钠为原料,水和甲苯为溶剂,按高锰酸钾的质量:四正辛基溴化铵的质量:硼氢化钠的质量:去离子水的体积:甲苯溶液的体积比为16mg∶110mg∶38mg∶10ml∶10ml的比例,在容器中,首先加入高锰酸钾的水溶液,再加入四正辛基溴化铵的甲苯溶液,进行常温下的磁力搅拌10分钟直至高锰酸根离子完全进入甲苯溶液中。然后将硼氢化钠溶液逐滴加入混合溶液中,常温搅拌20分钟。将反应后的混合液放置离心机中,进行固液分离,分别收集离心液和沉淀,如此重复3次。最后将收集的沉淀放置干燥箱中,在60℃干燥24小时。
3.按照权利要求1所述的低维锰氧化物纳米晶体,其制备步骤如下:
(1)混合搅拌
以权利要求2所述无定形结构二氧化锰为“种子”,采用10-6mol/L稀硫酸溶液或10mol/LNaOH或去离子水为溶剂,按二氧化锰的质量:10-6mol/L稀硫酸体积或10mol/LNaOH体积或去离子水比为10mg∶35ml的比例,在容器中,将等质量的二氧化锰分别与10-6mol/L稀硫酸或1~10mol/L NaOH或去离子水混合,磁力搅拌10分钟。
(2)水热反应
第(1)步完成后,先将第(1)步制得的几种混合溶液分别移至内衬为聚四氟乙烯的水热反应釜中,在140℃温度下,进行水热反应18~24小时,再将水热反应后的混合液放置于离心机中,进行固液分离,分别收集离心液和沉淀,再次加入去离子水搅拌混合均匀后,放置于离心机中,进行固液分离,再次分别收集离心液和沉淀,如此重复3~6次,最后合并各次收集的离心液。
4.按照权利要求3所述的低维锰氧化物纳米晶体制备方法,其特征在于:
在第(1)步中,采用10-6mol/L稀硫酸溶液为溶剂,按二氧化锰的质量:10-6mol/L稀硫酸比为10mg∶35ml,混合磁力搅拌10分钟。
在第(2)步中,在140℃温度下,进行水热反应24小时。
5.按照权利要求3所述的低维锰氧化物纳米晶体的制备方法,其特征在于:
在第(1)步中,采用10mol/LNaOH为溶剂,按二氧化锰的质量:10mol/L NaOH比为10mg∶35ml,混合磁力搅拌10分钟。
在第(2)步中,在140℃温度下,进行水热反应24小时。
6.按照权利要求3所述的低维锰氧化物纳米晶体的制备方法,其特征在于:
在第(1)步中,采用去离子水为溶剂,按二氧化锰的质量去离子水比为10mg∶35ml,混合磁力搅拌10分钟。
在第(2)步中,在140℃温度下,进行水热反应24小时。
7.按照权利要求3所述的低维锰氧化物纳米晶体的制备方法,其特征在于:
在第(1)步中,采用10-6mol/L稀硫酸溶液为溶剂,按二氧化锰的质量:10-6mol/L稀硫酸比为10mg∶35ml,混合磁力搅拌10分钟。
在第(2)步中,在140℃温度下,进行水热反应18小时。
8.按照权利要求3所述的低维锰氧化物纳米晶体的制备方法,其特征在于:
在第(1)步中,采用10mol/LNaOH为溶剂,按二氧化锰的质量:10mol/L NaOH比为10mg∶35ml,混合磁力搅拌10分钟。
在第(2)步中,在140℃温度下,进行水热反应18小时。
9.按照权利要求3所述的低维锰氧化物纳米晶体的制备方法,其特征在于:
在第(1)步中,采用去离子水为溶剂,按二氧化锰的质量去离子水比为10mg∶35ml,混合磁力搅拌10分钟。
在第(2)步中,在140℃温度下,进行水热反应18小时。
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