[发明专利]一种低维锰氧化物纳米晶体的制备方法有效

专利信息
申请号: 201210269387.1 申请日: 2012-07-31
公开(公告)号: CN102745750A 公开(公告)日: 2012-10-24
发明(设计)人: 张育新;董萌;邱鑫;郝晓东;刘佳;黄明;柳红东;曾莉;张淑平;李新禄;黄佳木 申请(专利权)人: 重庆大学
主分类号: C01G45/02 分类号: C01G45/02;B82Y30/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 400044 *** 国省代码: 重庆;85
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摘要:
搜索关键词: 一种 低维锰 氧化物 纳米 晶体 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种制备低维锰氧化物纳米晶体的方法,其特征在于包括以下制备工艺:

(1)水油两相法制备无定形二氧化锰纳米颗粒

(2)以二氧化锰纳米颗粒做“种子”,水热合成法制备低维锰氧化物纳米晶体。

2.按照权利要求1所述的无定形结构二氧化锰纳米颗粒,其制备步骤如下:

以高锰酸钾、四正辛基溴化铵和硼氢化钠为原料,水和甲苯为溶剂,按高锰酸钾的质量:四正辛基溴化铵的质量:硼氢化钠的质量:去离子水的体积:甲苯溶液的体积比为16mg∶110mg∶38mg∶10ml∶10ml的比例,在容器中,首先加入高锰酸钾的水溶液,再加入四正辛基溴化铵的甲苯溶液,进行常温下的磁力搅拌10分钟直至高锰酸根离子完全进入甲苯溶液中。然后将硼氢化钠溶液逐滴加入混合溶液中,常温搅拌20分钟。将反应后的混合液放置离心机中,进行固液分离,分别收集离心液和沉淀,如此重复3次。最后将收集的沉淀放置干燥箱中,在60℃干燥24小时。

3.按照权利要求1所述的低维锰氧化物纳米晶体,其制备步骤如下:

(1)混合搅拌

以权利要求2所述无定形结构二氧化锰为“种子”,采用10-6mol/L稀硫酸溶液或10mol/LNaOH或去离子水为溶剂,按二氧化锰的质量:10-6mol/L稀硫酸体积或10mol/LNaOH体积或去离子水比为10mg∶35ml的比例,在容器中,将等质量的二氧化锰分别与10-6mol/L稀硫酸或1~10mol/L NaOH或去离子水混合,磁力搅拌10分钟。

(2)水热反应

第(1)步完成后,先将第(1)步制得的几种混合溶液分别移至内衬为聚四氟乙烯的水热反应釜中,在140℃温度下,进行水热反应18~24小时,再将水热反应后的混合液放置于离心机中,进行固液分离,分别收集离心液和沉淀,再次加入去离子水搅拌混合均匀后,放置于离心机中,进行固液分离,再次分别收集离心液和沉淀,如此重复3~6次,最后合并各次收集的离心液。

4.按照权利要求3所述的低维锰氧化物纳米晶体制备方法,其特征在于:

在第(1)步中,采用10-6mol/L稀硫酸溶液为溶剂,按二氧化锰的质量:10-6mol/L稀硫酸比为10mg∶35ml,混合磁力搅拌10分钟。

在第(2)步中,在140℃温度下,进行水热反应24小时。

5.按照权利要求3所述的低维锰氧化物纳米晶体的制备方法,其特征在于:

在第(1)步中,采用10mol/LNaOH为溶剂,按二氧化锰的质量:10mol/L NaOH比为10mg∶35ml,混合磁力搅拌10分钟。 

在第(2)步中,在140℃温度下,进行水热反应24小时。

6.按照权利要求3所述的低维锰氧化物纳米晶体的制备方法,其特征在于:

在第(1)步中,采用去离子水为溶剂,按二氧化锰的质量去离子水比为10mg∶35ml,混合磁力搅拌10分钟。

在第(2)步中,在140℃温度下,进行水热反应24小时。

7.按照权利要求3所述的低维锰氧化物纳米晶体的制备方法,其特征在于:

在第(1)步中,采用10-6mol/L稀硫酸溶液为溶剂,按二氧化锰的质量:10-6mol/L稀硫酸比为10mg∶35ml,混合磁力搅拌10分钟。

在第(2)步中,在140℃温度下,进行水热反应18小时。

8.按照权利要求3所述的低维锰氧化物纳米晶体的制备方法,其特征在于:

在第(1)步中,采用10mol/LNaOH为溶剂,按二氧化锰的质量:10mol/L NaOH比为10mg∶35ml,混合磁力搅拌10分钟。

在第(2)步中,在140℃温度下,进行水热反应18小时。

9.按照权利要求3所述的低维锰氧化物纳米晶体的制备方法,其特征在于:

在第(1)步中,采用去离子水为溶剂,按二氧化锰的质量去离子水比为10mg∶35ml,混合磁力搅拌10分钟。

在第(2)步中,在140℃温度下,进行水热反应18小时。 

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