[发明专利]像素阵列基板、显示面板、接触窗结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种像素阵列基板、显示面板及接触窗结构及其制造方法，尤其涉及一种良率佳的像素阵列基板、显示面板、接触窗结构及其制造方法。

背景技术

在半导体工艺中，常需要在作为隔离的绝缘层中形成接触窗（Contact Window）结构，借以连接上下两层导电层，或是连接半导体基底与低层导电层。

图1为一种公知的接触窗结构。为使第一导电层140及第二导电层170能做电性连接，在第一导电层140上依序覆盖第一绝缘层150与第二绝缘层160之后，会以蚀刻方式制作出接触窗100A。之后，再覆盖上第二层导电层170。然而，第一绝缘层150与第二绝缘层160由不同材料所构成，因此在蚀刻工艺中第一绝缘层150的被蚀刻速率大于第二绝缘层160的被蚀刻速率。如此一来，因为第一绝缘层150被蚀刻的较快，导致覆盖其上的第二绝缘层160有部分尚未被蚀刻，而这部分会悬空于第一绝缘层150上方。因此，后续形成的第二导电层170无法完整地覆盖接触窗100A，使第二导电层170的可靠度产生问题。

此外，第二导电层170后续可能会再覆盖上另外的两层导电层与一层绝缘层以作为电容。但第二绝缘层160的悬空部分会使后续覆盖上的绝缘层产生一样的悬空问题，导致作为电容的上下电极而应该互相绝缘的两个导电层导通，最终使得电容失效。

发明内容

为了克服现有技术的缺陷，本发明提供一种接触窗结构，可解决其中绝缘层悬空的问题。

本发明提供一种像素阵列基板与显示面板，可解决良率不佳的问题。

本发明提供一种接触窗结构的制造方法，可解决其中绝缘层悬空的问题。

本发明提出一种接触窗结构，包括一第一导体层、一第一绝缘层、一第二绝缘层以及一第二导体层。第一导体层配置于一基板上。第一绝缘层覆盖第一导体层与基板，且具有一第一接触窗。其中第一导体层的一部分暴露于第一接触窗。第二绝缘层覆盖第一绝缘层，且具有一第二接触窗，其中第一接触窗暴露于第二接触窗。第一绝缘层的材质不同于第二绝缘层的材质。对于相同蚀刻液，第一绝缘层的被蚀刻速率大于第二绝缘层的被蚀刻速率，第二绝缘层靠近第一绝缘层的部分的被蚀刻速率大于第二绝缘层远离第一绝缘层的部分的被蚀刻速率。第二导体层覆盖第一接触窗与第二接触窗，并接触第一导体层暴露于第一接触窗的部分。

本发明提出一种像素阵列基板，此像素阵列基板包括前述的接触窗结构。

本发明提出一种显示面板，包括一对向基板、一显示介质与前述的像素阵列基板。显示介质配置于对向基板与像素阵列基板之间。

在本发明一实施例中，上述的接触窗结构的第一绝缘层的材质为氧化硅。

在本发明一实施例中，上述的接触窗结构的第二绝缘层的材质为氮化硅，且第二绝缘层靠近第一绝缘层的部分的氮硅比大于第二绝缘层远离第一绝缘层的部分的氮硅比。

在本发明一实施例中，上述的接触窗结构中，其中对于相同蚀刻液，第二绝缘层从靠近第一绝缘层的部分至远离第一绝缘层的部分的被蚀刻速率是渐进变化。

在本发明一实施例中，上述的接触窗结构中，其中对于相同蚀刻液，第二绝缘层从靠近第一绝缘层的部分至远离第一绝缘层的部分的被蚀刻速率是两阶段变化。

在本发明一实施例中，上述的接触窗结构中还包括一第一透明导电层、一第二透明导电层以及一第三绝缘层。第一透明导电层覆盖并接触第二导体层。第三绝缘层配置于第一透明导电层与第二透明导电层之间，以形成一电容。

在本发明一实施例中，上述的像素阵列基板还包括多个像素驱动单元。每一像素驱动单元包括一像素电极与一对向电极。像素电极具有多个第一条状图案，对向电极具有多个第二条状图案，而第一条状图案与第二条状图案交替排列。对向电极与像素电极相互电性绝缘。

在本发明一实施例中，上述的像素阵列基板的像素驱动单元的像素电极与对向电极位于同一平面上。

在本发明一实施例中，上述的像素阵列基板的像素驱动单元的像素电极与对向电极位于不同平面上。

在本发明一实施例中，上述的像素阵列基板还包括多个像素驱动单元，每一像素驱动单元包括一像素电极与一对向电极。像素电极具有多个第一条状图案且位于同一平面上，对向电极位于像素电极下方，且像素电极与对向电极相互电性绝缘。