[发明专利]像素阵列基板、显示面板、接触窗结构及其制造方法

权利要求书

1.一种接触窗结构，包括：

一第一导体层，配置于一基板上；

一第一绝缘层，覆盖该第一导体层与该基板，且具有一第一接触窗，其中该第一导体层的一部分暴露于该第一接触窗；

一第二绝缘层，覆盖该第一绝缘层，且具有一第二接触窗，其中该第一接触窗暴露于该第二接触窗，该第一绝缘层的材质不同于该第二绝缘层的材质，对于相同蚀刻液，该第一绝缘层的被蚀刻速率大于该第二绝缘层的被蚀刻速率，该第二绝缘层靠近该第一绝缘层的部分的被蚀刻速率大于该第二绝缘层远离该第一绝缘层的部分的被蚀刻速率；以及

一第二导体层，覆盖该第一接触窗与该第二接触窗并接触该第一导体层暴露于该第一接触窗的部分。

2.如权利要求1所述的接触窗结构，其中该第一绝缘层的材质为氧化硅。

3.如权利要求2所述的接触窗结构，其中该第二绝缘层的材质为氮化硅，且该第二绝缘层靠近该第一绝缘层的部分的氮硅比大于该第二绝缘层远离该第一绝缘层的部分的氮硅比。

4.如权利要求1所述的接触窗结构，其中对于相同蚀刻液，该第二绝缘层从靠近该第一绝缘层的部分至远离该第一绝缘层的部分的被蚀刻速率是渐进变化。

5.如权利要求1所述的接触窗结构，其中对于相同蚀刻液，该第二绝缘层从靠近该第一绝缘层的部分至远离该第一绝缘层的部分的被蚀刻速率是两阶段变化。

6.如权利要求1所述的接触窗结构，还包括：

一第一透明导电层，覆盖并接触该第二导体层；

一第二透明导电层；以及

一第三绝缘层，配置于该第一透明导电层与该第二透明导电层之间，以形成一电容。

7.一种像素阵列基板，包括一接触窗结构，其中该接触窗结构包括：

一第一导体层，配置于一基板上；

一第一绝缘层，覆盖该第一导体层与该基板，且具有一第一接触窗，其中该第一导体层的一部分暴露于该第一接触窗；

一第二绝缘层，覆盖该第一绝缘层，且具有一第二接触窗，其中该第一接触窗暴露于该第二接触窗，该第一绝缘层的材质不同于该第二绝缘层的材质，对于相同蚀刻液，该第一绝缘层的被蚀刻速率大于该第二绝缘层的被蚀刻速率，该第二绝缘层靠近该第一绝缘层的部分的被蚀刻速率大于该第二绝缘层远离该第一绝缘层的部分的被蚀刻速率；以及

一第二导体层，覆盖该第一接触窗与该第二接触窗并接触该第一导体层暴露于该第一接触窗的部分。

8.如权利要求7所述的像素阵列基板，其中该第一绝缘层的材质为氧化硅。

9.如权利要求8所述的像素阵列基板，其中该第二绝缘层的材质为氮化硅，且该第二绝缘层靠近该第一绝缘层的部分的氮硅比大于该第二绝缘层远离该第一绝缘层的部分的氮硅比。

10.如权利要求7所述的像素阵列基板，其中对于相同蚀刻液，该第二绝缘层从靠近该第一绝缘层的部分至远离该第一绝缘层的部分的被蚀刻速率是渐进变化。

11.如权利要求7所述的像素阵列基板，其中对于相同蚀刻液，该第二绝缘层从靠近该第一绝缘层的部分至远离该第一绝缘层的部分的被蚀刻速率是两阶段变化。

12.如权利要求7所述的像素阵列基板，其中该接触窗结构还包括：

一第一透明导电层，覆盖并接触该第二导体层；

一第二透明导电层；以及

一第三绝缘层，配置于该第一透明导电层与该第二透明导电层之间，以形成一电容。

13.如权利要求7所述的像素阵列基板，还包括多个像素驱动单元，每一像素驱动单元包括一像素电极与一对向电极，所述多个像素电极具有多个第一条状图案，所述多个对向电极与所述多个像素电极相互电性绝缘，所述多个对向电极具有多个第二条状图案，而所述多个第一条状图案与所述多个第二条状图案交替排列。

14.如权利要求13所述的像素阵列基板，其中所述多个像素电极与所述多个对向电极位于同一平面上。

15.如权利要求13所述的像素阵列基板，其中所述多个像素电极与所述多个对向电极位于不同平面上。