[发明专利]一种超薄抗静电型电容器用PET薄膜及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种PET薄膜 ，具体涉及一种超薄抗静电型电容器用PET薄膜及其制备方法。

背景技术

聚酯薄膜具有良好的电气绝缘、机械、阻隔、光学、耐化学和耐热性能等，可广泛应用于包装、标签、电容器、磁带、感光、工业、电子以及农用薄膜等领域，通过表面处理、复合、镀铝等措施，聚酯薄膜的性能还可进一步提高以适应日益增长的市场需求。

聚酯薄膜作为电容器介质材料属于有机薄膜类，在当今用于电子信息产品的电子电路向集成化和平面化发展的趋势下，对电子元器件提出了片式化、小型化、高性能、高精度、一致性、可靠性、零缺陷和适应表面组装的要求，这对聚酯电容膜及其电容器产业发展带来了新的机遇和挑战。

中国专利ZL02138101.1提出一种耐高温聚丙烯电容膜，生产方法包括挤出塑化、过滤、模头定型、冷却定型、纵向预热拉伸定型、横向预热拉伸定型等步骤，该发明生产方法独特，保证了产品具有完善的内部微观结构，产品耐高温、拉伸强度大，用本发明制成的电容器的工作温度可达105℃。但是与聚酯薄膜作为电容器介质材料相比，存在单个电容容量较小，体积大，一般比同容量的电解电容大10倍左右，使用者出于对成本考虑及安装空间的限制，难以大范围地应用聚丙烯薄膜电容。 

发明内容

本发明针对上述问题，研究开发了一种超薄抗静电型电容器用PET薄膜及其制备方法，目的在于：解决现有技术中薄膜厚度不能达到满足电子元器件小型化、适应表面组装等的使用要求，保证产品具有良好的电气绝缘性能、较高介电性能。

本发明的技术解决方案： 一种超薄抗静电型电容器用PET薄膜及其制备方法，其特征在于：所述超薄抗静电型电容器用PET薄膜为A、B、C三层结构，其中A层和C层为表面层，B层为芯层，各层的原料组份重量配比为：

A层：功能性膜用母料聚酯切片： 98～100％；

成核剂：     0.5～2％；

B层：（普通膜用聚酯切片/功能性膜用母料聚酯切片）混合料： 95～98％；

 爽滑剂/成核剂/抗静电剂：  2～5%；

C层：功能性膜用母料聚酯切片：96.5～98.5％；

爽滑剂/抗静电剂：   1.5～3.5％。

所述超薄抗静电型电容器用PET薄膜厚度为4.3～12μm。

所述A层、B层和C层的厚度比为：0.6～1.2∶3.1～9.6∶0.6～1.2。

所述成核剂为微米级滑石粉。

所述爽滑剂为SPER6爽滑剂或SJ065爽滑剂。

所述功能性膜用聚酯切片的制备过程：把高纯度的对苯二甲酸与乙二醇按1：1mol比例投入反应釜中进行酯化反应，在结束阶段，再将纳米级二氧化硅乙二醇分散体、纳米高岭土导入缩聚反应釜，采用DCS集散系统控制，连续加入聚合体得到功能性膜用聚酯，最后通过拉伸、造粒，制得功能性膜用母料聚酯切片；聚酯合成过程包括酯化反应和缩聚反应，在反应时加入功能性添加剂、催化剂和稳定剂。

所述功能性添加剂为纳米级二氧化硅和纳米高岭土。

所述纳米级二氧化硅其平均粒径在80～120nm之间，纳米级二氧化硅的添加量为2500～3800ppm。

所述纳米高岭土在薄膜中的粒径分布为0.2~0.5μm，纳米高岭土添加量为2～1000 ppm。

所述催化剂为锗、锑、钛的化合物或它们的有机络合物，其加入量为相对于聚酯质量的0.01～0.09%；

所述稳定剂是磷酸、亚磷酸、多磷酸、磷酸三甲酯、磷酸三苯酯或磷酸三乙酯中的一种，加入量为相对于聚酯质量的0.0003～0.040%。

所述功能性添加剂的制备步骤为：先进行表面处理，经高速离心搅拌、研磨，使其均匀分散在乙二醇中，然后加入到聚酯合成体系中；添加剂在研磨分散过程中，加入分散剂，分散剂为多聚磷酸钠、多聚磷酸钾中的一种，其加入量为相对于添加剂质量的0.1%～0.5%。

所述纳米级二氧化硅乙二醇分散体的制备步骤为：首先对纳米级二氧化硅进行表面处理，然后通过高速离心搅拌、研磨，并通过超声波分散法制成均匀的纳米级二氧化硅乙二醇分散体。

所述纳米高岭土乙二醇分散体的制备步骤为：首先对纳米高岭土进行表面处理，然后通过高速离心搅拌、研磨并且通过超声波分散法制成均匀的纳米高岭土乙二醇分散体。

一种抗粘连功能聚酯膜的制备方法，包括以下步骤：

1、切片、混料：