[发明专利]半导体激光器元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体激光器元件，包括：

位于衬底上的激光器结构部，该激光器结构部构造成包括：顺次具有n型半导体层、活性层和p型半导体层的半导体层叠结构、和位于所述p型半导体层的顶部上的p侧电极；

设置在所述半导体层叠结构的两对立横向侧的一对谐振器边缘；和

设置在所述激光器结构部的顶侧的、包括所述谐振器边缘的位置的区域中的、并由具有比周围气体更高热传导率的非金属材料制成的膜。

2.如权利要求1所述的半导体激光器元件，其中，所述非金属材料比所述p侧电极的材料更脆。

3.如权利要求1所述的半导体激光器元件，其中，所述非金属材料比所述p侧电极的材料具有更高电阻。

4.如权利要求1所述的半导体激光器元件，其中，所述非金属材料是从AlN、SiC、金刚石和类金刚石碳的组中选择的至少一种。

5.如权利要求1所述的半导体激光器元件，其中，每一个所述膜的面内形状被分割成较小的部分。

6.如权利要求1所述的半导体激光器元件，其中，每一个所述膜的面内厚度有变化。

7.如权利要求1所述的半导体激光器元件，

其中，所述p侧电极具有从所述谐振器边缘向内定位的边缘，并且

每一个所述膜的至少部分设置在所述半导体层叠结构的顶侧的、位于所述谐振器边缘与所述p侧电极的边缘之间的区域中。

8.如权利要求1所述的半导体激光器元件，

其中，所述p侧电极从所述一对谐振器边缘中的一个延伸到另一个，并且

所述膜设置在所述p侧电极的顶侧。

9.如权利要求8所述的半导体激光器元件，其中，所述p侧电极在所述谐振器边缘附近更薄。

10.如权利要求1所述的半导体激光器元件，其中，所述半导体层叠结构由氮化镓基化合物半导体制成。

11.一种半导体激光器元件制造方法，包括：

在衬底上形成激光器结构部，该激光器结构部构造成包括：顺次具有n型半导体层、活性层和p型半导体层的半导体层叠结构、和位于所述p型半导体层的顶部上的p侧电极；

在所述激光器结构部的顶侧的、包括谐振器边缘待形成位置的区域中，形成由具有比周围气体更高热传导率的非金属材料制成的膜；和

在所述膜的形成之后，通过裂解所述半导体层叠结构的两对立横向侧从而形成所述一对谐振器边缘。