[发明专利]半导体器件及其操作方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

单元串，所述单元串包括多个存储器单元；

页缓冲器，所述页缓冲器包括锁存器和开关元件，其中所述开关元件被耦接在所述锁存器与耦接到所述单元串的位线之间；

页缓冲器控制器，所述页缓冲器控制器被配置成在编程操作的位线设定操作期间将逐步上升的导通电压施加到所述开关元件。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述导通电压包括阶梯波形的信号。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述页缓冲器控制器包括用于将所述导通电压施加到所述开关元件的栅极的电平移位器。

4.如权利要求2所述的半导体器件，其中，所述电平移位器将所述导通电压施加到所述开关元件，其中所述导通电压在编程操作的所述位线设定操作开始时比目标导通电压低，然后逐渐增加到所述目标导通电压。

5.一种操作半导体器件的方法，包括以下步骤：

施加编程允许电压或编程禁止电压到与位线耦接的页缓冲器的锁存器；

将逐渐上升的导通电压施加到耦接在所述位线与所述锁存器之间的开关元件的栅极并设定所述位线；以及

对与所述位线的耦接单元串执行编程操作。

6.如权利要求5所述的方法，其中，所述导通电压包括阶梯波形的信号。

7.如权利要求5所述的方法，其中，所述编程允许电压为0V，且所述编程禁止电压为电源电压。

8.如权利要求5所述的方法，其中，设定所述位线的步骤包括以下步骤：将所述导通电压施加到所述开关元件的栅极，其中所述导通电压在编程操作的位线设定操作开始时比目标导通电压低，然后逐渐增加到所述目标导通电压。

9.如权利要求8所述的方法，其中，设定所述位线的步骤被执行特定的时间。

10.如权利要求9所述的方法，其中，所述导通电压在所述特定的时间内以恒定的时间间隔逐渐增加。

11.一种操作半导体器件的方法，包括以下步骤：

通过施加逐渐上升的导通电压到开关元件来逐步增加所述开关元件的源极处的电位，所述开关元件被耦接在位线与经由所述位线耦接到单元串的页缓冲器中所包括的锁存器之间。

12.如权利要求11所述的方法，其中，所述导通电压包括阶梯波形的信号。

13.如权利要求12所述的方法，其中，所述导通电压在编程操作的位线设定操作开始时比目标导通电压低，然后逐渐增加到目标导通电压。

14.如权利要求11所述的方法，其中，施加电源电压到与所述开关元件的漏极耦接的锁存器以增加所述源极的电位。