[发明专利]阵列基板、液晶显示元件及阵列基板的制造方法有效

专利信息
申请号: 201210251981.8 申请日: 2012-07-19
公开(公告)号: CN102890352A 公开(公告)日: 2013-01-23
发明(设计)人: 一戸大吾;米田英司 申请(专利权)人: JSR株式会社
主分类号: G02F1/1333 分类号: G02F1/1333;G02F1/1337;G03F7/004;G03F7/027
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 臧建明
地址: 日本东京港*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 阵列 液晶显示 元件 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,其是包含如下元件的液晶显示元件用阵列基板:

开关有源元件、

于所述开关有源元件上所配置的绝缘膜、

于所述绝缘膜中所形成的接触孔、

经由所述接触孔而与所述开关有源元件电性连接的像素电极,

其特征在于:所述绝缘膜由含有如下共聚物的负型感放射线性树脂组成物而形成,所述共聚物包含由选自由不饱和羧酸及不饱和羧酸酐所构成的群组中的至少1种所形成的结构单元及由含有环氧基的不饱和化合物所形成的结构单元。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于:

所述感放射线性树脂组成物含有选自由下述式(1)所表示的化合物、下述式(2)所表示的化合物、叔胺化合物、胺盐、鳞盐、脒盐、酰胺化合物、硫醇化合物、嵌段异氰酸酯化合物及含有咪唑环的化合物所构成的群组中的至少1种化合物,

[化1]

[化2]

式(1)中,R1~R6分别独立为氢原子、吸电子基或氨基;其中,R1~R6中的至少1个是吸电子基,且R1~R6中的至少1个是氨基;而且,上述氨基的氢原子的全部或一部分也可以被碳数为1~6的烷基取代;

式(2)中,R7~R16分别独立为氢原子、吸电子基或氨基;其中,R7~R16中的至少1个是氨基;而且,上述氨基的氢原子的全部或一部分也可以被碳数为2~6的烷撑取代;A为单键、羰基、羰氧基、羰基亚甲基、亚磺酰基、磺酰基、亚甲基或碳数为2~6的烷撑;其中,上述亚甲基及烷撑的氢原子的全部或一部分也可以被氰基、卤素原子或氟烷基取代。

3.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于:

所述绝缘膜是在200℃以下的硬化温度下所形成的绝缘膜。

4.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于:

于所述绝缘膜上包含透明电极,于所述透明电极上包含配向膜,所述配向膜是使用包含具有光配向性基的感放射线性聚合物的液晶配向剂及包含不具光配向性基的聚酰亚胺的液晶配向剂中的任意种所得的配向膜。

5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于:

所述配向膜是使用包含具有光配向性基的感放射线性聚合物的液晶配向剂所得的配向膜。

6.一种液晶显示元件,其特征在于包含根据权利要求1至5中任一项所述的阵列基板。

7.一种阵列基板的制造方法,其特征在于包括如下步骤:

[1]在形成有开关有源元件的基板上形成含有如下共聚物的负型感放射线性树脂组成物的涂膜的步骤,所述共聚物包含由选自由不饱和羧酸及不饱和羧酸酐所构成的群组中的至少1种所形成的结构单元及由含有环氧基的不饱和化合物所形成的结构单元;

[2]对所述感放射线性树脂组成物的涂膜的至少一部分照射放射线的步骤;

[3]对在步骤[2]中照射了放射线的所述涂膜进行显影,获得形成有接触孔的涂膜的步骤;以及

[4]于200℃以下对在步骤[3]中所得的涂膜进行硬化而形成绝缘膜的步骤。

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