[发明专利]场终止绝缘栅双极型晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 201210250435.2 | 申请日： | 2012-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN103578980A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 张硕;芮强;王根毅;邓小社 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 唐立;王忠忠 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 终止 绝缘 栅双极型 晶体管 制备 方法 | ||
1.一种场终止绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供用于制备场终止绝缘栅双极型晶体管的、并在其背面完成场终止层掺杂的晶片；
在所述晶片的背面上形成保护层；
对所述晶片的正面完成正面工艺流程；
去除所述保护层；以及
在所述场终止层上形成背电极。
2. 如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述保护层为多晶硅保护层。
3. 如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，保护层同时形成在所述晶片的正面上，在所述晶片的背面上形成保护层之后，去除所述晶片的正面上的保护层。
4. 如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述场终止层掺杂采用离子注入掺杂方式。
5. 如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在所述晶片的背面上形成保护层之后，对所述场终止层掺杂进行推阱工艺以形成场终止层。
6. 如权利要求1或5所述的制备方法，其特征在于，所述场终止层的掺杂浓度范围为1E12离子/cm3至1E19离子/cm3。
7. 如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在所述晶片的背面形成有用于防止离子注入对半导体衬底晶格损伤。
8. 如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述多晶硅保护层通过低压化学气相沉积方法形成。
9. 如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述多晶硅保护层的厚度范围为100纳米至2000纳米。
10. 如权利要求1或3所述的制备方法，其特征在于，所述保护层的去除采用干法刻蚀方法。
11. 如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，完成所述正面工艺流程包括至少地完成正面的隔离介质层制备。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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