[发明专利]一种用于多腔室等离子处理装置的减少颗粒污染的方法

权利要求书

1.一种用于多腔室等离子处理装置的减少颗粒污染的方法，所述等离子处理装置至少包括两个腔室，每个腔室在较低位置处设有一个阴极，在所述阴极上连接有射频功率源，基片放置于腔室上进行制程，其中，所述方法包括如下步骤：

(a)，通入第一制程气体至多个腔室，同时施加第一频率于多个腔室，以激发等离子体分别对基片执行第一制程；

(c)，施加第二频率于先完成制程的腔室，以维持等离子体于刚好不熄灭状态；

（e），通入第二制程气体至多个腔室，同时施加第三频率于多个腔室，以激发等离子体分别对基片执行第二制程。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，执行步骤（c），以维持等离子体于1E6cm^-3于1E12cm^-3之间。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述步骤(a)之后和所述步骤（c）之前还包括步骤（b）：

通入辅助气体至先完成制程的腔室。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在步骤（c）之后和所述步骤（e）之前还包括步骤(d)：

停止通入辅助气体至先完成制程的腔室。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述辅助气体包括惰性气体。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述步骤(a)和步骤（c）的执行时间以及所述第一频率和第三频率分别根据第一制程和第二制程来确定。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二频率低于所述第一频率和所述第三频率。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二频率的取值范围为100W~300W。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述步骤(c)的执行时间的取值范围为1s~10s。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤(c)之后，步骤（e）之前执行如下步骤：

-施加等待频率于多个腔室，以维持等离子体。