[发明专利]GaInP/GaAs/Ge三结级联太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种GaInP/GaAs/Ge三结级联太阳能电池，其特征在于，包括支撑衬底，以及在所述支撑衬底上依次设置的第二接触层、Ge子电池、第二隧道结、GaAs子电池、第一隧道结、GaInP子电池和第一接触层。

2.一种GaInP/GaAs/Ge三结级联太阳能电池，其特征在于，所述第一接触层的材料为GaAs，第二接触层的材料为Ge或(In)GaAs。

3.根据权利要求1所述的GaInP/GaAs/Ge三结级联太阳能电池，其特征在于，所述Ge子电池包含依次按照逐渐远离支撑衬底的方向设置的材料为InGaAs或GaInP的第一背场层、Ge的第一基区、Ge的第一发射区和GaInP或AlInP的第一窗口层。

4.根据权利要求1所述的GaInP/GaAs/Ge三结级联太阳能电池，其特征在于，所述第二隧道结包含依次按照逐渐远离支撑衬底的方向设置的材料为GaInP或(Al)GaAs的第一掺杂层和(Al)GaAs的第二掺杂层。

5.根据权利要求1所述的GaInP/GaAs/Ge三结级联太阳能电池，其特征在于，所述GaAs子电池包含依次按照逐渐远离支撑衬底的方向设置的材料为GaInP或AlGaAs的第二背场层、GaAs的第二基区、GaAs的第二发射区和Al(Ga)InP或AlGaAs的第二窗口层。

6.根据权利要求1所述的GaInP/GaAs/Ge三结级联太阳能电池，其特征在于，所述第一隧道结包含依次按照逐渐远离支撑衬底的方向设置的材料为GaInP或GaAs的第三掺杂层和GaAs的第四掺杂层。

7.根据权利要求1所述的GaInP/GaAs/Ge三结级联太阳能电池，其特征在于，所述GaInP子电池包含依次按照逐渐远离支撑衬底的方向设置的材料为Al(Ga)InP的第三背场层、GaInP的第三基区、GaInP的第三发射区和AlInP或AlGaAs的第三窗口层。

8.一种如权利要求1所述的GaInP/GaAs/Ge三结级联太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括步骤： 1）提供一GaAs衬底； 2）在GaAs衬底表面依次生长AlGaAs的牺牲层、第一接触层、GaInP子电池、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、Ge子电池及第二接触层； 3）提供一支撑衬底； 4）将支撑衬底键合至第二接触层表面； 5）从第一接触层处将GaAs衬底及AlGaAs的牺牲层剥离以去除GaAs衬底及AlGaAs的牺牲层。