[发明专利]有机电致发光显示装置

说明书

本申请是申请日为2004年08月25日的、题为“有机电致发光显示装置”的第200410068249.2号申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种有机电致发光显示装置，并尤其涉及一种通过利用低阻值金属同时形成反射膜和电源布线而防止电压降和电源布线之间短路的有机电致发光显示装置。

背景技术

通常地，有源矩阵式有机电致发光显示装置的每个单元象素包括开关晶体管、驱动晶体管、电容和发光元件。公共电源（Vdd）经电源线加在驱动晶体管和电容上。公共电源应该被均匀地加在以矩阵形式分布的多个象素上以便获得均匀的亮度，因为电源线扮演着控制经驱动晶体管流向发光元件的电流的角色。下面参考附图描述现有技术。

图1是常规的有机电致发光显示装置的截面图。参见图1，在形成于绝缘衬底100上的缓冲层110上，形成了由多晶硅组成的有源层120。

然后，通过在绝缘衬底100的正面沉积栅极绝缘层130和栅极金属并构图栅极金属而形成栅电极140。

形成栅电极140之后，通过利用掩模向有源层120中掺入一定的杂质而形成源极区121和漏极区125。有源层120中源极区121和漏极区125之间的区域起着沟道区123的作用。

之后，通过在源极区121和漏极区125上沉积层间绝缘层150并构图层间绝缘层150而形成用于暴露源极区121和漏极区125的一部分的接触孔151、155。通过在绝缘衬底100的正面沉积金属层并光刻该金属层而形成源电极和漏电极161、165。源电极和漏电极161、165中的任何一个电极（例如源电极161）起着电源线的作用。

在包含源电极和漏电极161、165的绝缘衬底100的正面上形成钝化层170之后，在钝化层170上形成用于暴露部分漏电极165的通孔175。

在于通孔175上沉积具有优于绝缘衬底100的反射率的金属如Ag和Al并在已沉积的金属上沉积透光性导电材料如ITO和IZO之后，通过构图已沉积的金属和透光性导电材料而形成由反射膜181和透光性电极183组成的阳极180。

之后，形成有机发光层和阴极，尽管它们没有在图中示出。

通常利用前述常规有机电致发光显示装置中的源电极和漏电极161、165形成电源线。但是，常规有机电致发光显示装置存在这样的问题，即，主要用作源电极和漏电极161和165的MoW由于高电阻而具有很高的电压降（IR降），并且当漏电极和源电极165、161用作电源线时可能会在相邻的布线之间产生短路。

发明内容

因此，为了解决现有技术中的前述问题，本发明提供了一种通过利用低阻值金属同时形成反射膜和电源布线而防止电压降和电源布线之间短路的有机电致发光显示装置及其制造方法。

本发明的实施例提供了一种有机电致发光显示装置，包括：形成在绝缘衬底上的栅极线、数据线和电源布线，由栅极线、数据线和电源布线确定的象素区，以及设置在象素区上并至少由反射膜和象素电极构成的象素，其中反射膜与电源布线形成在同一层上。

本发明的另一实施例提供了一种有机电致发光显示装置，其包括：形成在绝缘衬底上并配置有源电极和漏电极的薄膜晶体管；形成在绝缘衬底上并配置有接触孔的第一绝缘层，该接触孔用于暴露源电极和漏电极中任意一个电极；形成在第一绝缘层上的反射膜；形成在第一绝缘层上并经接触孔电连结到源电极和漏电极中任一电极的电源布线；形成在配置有反射膜和电源布线的绝缘衬底上并配置有用于暴露源电极和漏电极中另一电极的通孔的第二绝缘层；和形成在第二绝缘层上并经通孔电连结到源电极和漏电极中另一电极的象素电极。

本发明的又一实施例提供了一种有机电致发光显示装置，其包括：形成在绝缘衬底上并配置有源电极和漏电极的薄膜晶体管；形成在绝缘衬底上并配置有用于暴露源电极和漏电极的接触孔的第一绝缘层；形成在第一绝缘层上并电连结到源电极和漏电极中任一电极的第一象素电极；形成在第一绝缘层上并经接触孔与源电极和漏电极中另一电极电耦合的电源布线；形成在配置有第一象素电极和电源布线的绝缘衬底上并配置有用于暴露部分第一象素电极的通孔的第二绝缘层；和形成在第二绝缘层上并经通孔与第一象素电极电耦合的第二象素电极。

在本发明的又一实施例中，电源布线可以形成在与栅极线和数据线不同的层上。

另外，绝缘层可以夹置在反射膜和电源布线之间，使得反射膜和电源布线可以彼此电分离。

另外，绝缘层可以以这样的方式夹置在第一象素电极和电源布线之间，即第一象素电极和电源布线经通孔彼此电连结。