[发明专利]空心硼硅玻璃微珠掺杂的纳米绒面太阳能电池制造方法无效
申请号: | 201210238096.6 | 申请日: | 2012-07-11 |
公开(公告)号: | CN102738308A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 王成林 | 申请(专利权)人: | 辽宁朝阳太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 122000 *** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 空心 玻璃 掺杂 纳米 太阳能电池 制造 方法 | ||
1.空心硼硅玻璃微珠掺杂的纳米绒面太阳能电池制造方法,其特征在于:其包括如下工艺步骤:
1)、用化学催化腐蚀的方法在晶体硅衬底正面制备纳米绒面结构;
2)、纳米绒面衬底背靠背放入样品花篮,浸入空心硼硅玻璃微珠密布表面的丙酮液体中;
3)、提拉法缓慢提升样品花篮,空心硼硅玻璃微珠密排附着至纳米绒面表面;
4)、氮气气氛下退火扩散形成选区pn结,酸洗清除硼硅玻璃;
5)、氮化硅减反及表面钝化膜沉积Si3N4减反膜,用丝网印刷机在背面和正面丝印银栅线,背面丝印铝背场,从而形成正负电极;
6)、合金退火,制备出空心硼硅玻璃微珠掺杂的纳米绒面太阳能电池。
2.如权利要求1所述的空心硼硅玻璃微珠掺杂的纳米绒面太阳能电池制造方法,其特征在于:所述步骤1)的晶体硅衬底为p型125mm×125mm单晶硅片、156mm×156mm单晶硅片或156×156mm多晶硅片。
3.如权利要求2所述的空心硼硅玻璃微珠掺杂的纳米绒面太阳能电池制造方法,其特征在于:所述步骤1)的腐蚀液选用稀释的氢氟酸溶液、去离子水、银盐的混合液,其浓度为0.01~6.0M;腐蚀时间为1分钟-10小时之间。
4.如权利要求3所述的空心硼硅玻璃微珠掺杂的纳米绒面太阳能电池制造方法,其特征在于:所述步骤1)的化学催化腐蚀的方法具体为金属诱导腐蚀的方法。
5.如权利要求1所述的空心硼硅玻璃微珠掺杂的纳米绒面太阳能电池制造方法,其特征在于:所述步骤3)的空心硼硅玻璃微珠按六角密排方式粘附于晶体硅衬底纳米绒面表面,所述空心硼硅玻璃微珠直径在1-50微米之间。
6.如权利要求5所述的空心硼硅玻璃微珠掺杂的纳米绒面太阳能电池制造方法,其特征在于:所述步骤3)的提拉时速度保持在1mm/s-1m/s。
7.如权利要求1所述的空心硼硅玻璃微珠掺杂的纳米绒面太阳能电池制造方法,其特征在于:所述步骤4)的退火温度在500度-1200度,退火时间为5分至5小时。
8.如权利要求7所述的空心硼硅玻璃微珠掺杂的纳米绒面太阳能电池制造方法,其特征在于:所述步骤4)使用HF酸、氨水的混合液;或者HNO3、HF、氨水的混合液进行酸洗,酸洗过程为10秒至100分钟,在0度-120度的温度区间进行。
9.如权利要求1所述的空心硼硅玻璃微珠掺杂的纳米绒面太阳能电池制造方法,其特征在于:所述步骤5)中利用管式等离子增强化学气相淀积方法在衬底正面和背面淀积Si3N4减反膜,减反膜厚度在70nm-120nm之间。
10.如权利要求1所述的空心硼硅玻璃微珠掺杂的纳米绒面太阳能电池制造方法,其特征在于:所述步骤6)在链式烧结炉中退火合金,正负电极同时退火合金。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的