[发明专利]具有自我更新时序电路的半导体存储器元件

权利要求书

1.一种半导体存储器元件，其包含：

一命令解码器，用以接收一外部命令以产生一自我更新控制信号，该半导体存储器元件根据该自我更新控制信号执行自我更新运作；

多个存储器库，每一存储器库具有多个存储器单元；

一库地址产生器，用以产生一目标库地址至每一存储器库，该目标库地址指向一目标库以执行自我更新运作；

一自我更新计数器，用以指定这些存储器库中的一目标更新行；以及

一自我更新时序电路，包含：

一温度传感器，用以产生比例于一感测温度的一电压；

一参考电压源，用以产生与该感测温度无关的一固定电压；

一比较器，用以比较来自该温度传感器的该电压和该固定电压以产生一比较信号；

一致能电路，用以产生一致能信号以致动该比较器；及

一振荡电路，用以根据该比较信号和该致能信号以产生一自我更新时钟信号，该自我更新时钟信号控制该库地址产生器和该自我更新计数器的运作频率；

其中，当所有存储器库中至少一更新行完成自我更新运作后，该致能电路产生该致能信号。

2.如权利要求1的半导体存储器元件，其中该自我更新计数器包含一行地址计数器和一行递增计数器，该行地址计数器用以提供至这些存储器库的该目标更新行，而该行递增计数器用以控制该行地址计数器。

3.如权利要求1的半导体存储器元件，其中当所有存储器库中的该目标更新行完成自我更新运作后，该致能电路产生该致能信号以致动该比较器。

4.如权利要求1的半导体存储器元件，其中当所有存储器库中的该目标更新行完成自我更新运作后，该目标更新行会更新至一新更新行，且当所有存储器库中的该新更新行完成自我更新运作后，该致能电路产生该致能信号以致动该比较器。

5.如权利要求1的半导体存储器元件，其中该目标更新行会以一连续方式被更新，当该目标更新行更新至这些存储器库中的最后一行且所有存储器库中的该最后一行完成自我更新运作后，该致能电路产生该致能信号以致动该比较器。

6.如权利要求1的半导体存储器元件，其中当该感测温度高于一预定温度时，该振荡电路产生具有一第一频率的该自我更新时钟信号，当该感测温度低于该预定温度时，该振荡电路产生具有一第二频率的该自我更新时钟信号，其中该第一频率的值会大于该第二频率的值。

7.一种半导体存储器元件，其包含：

一命令解码器，用以接收一外部命令以产生一自我更新控制信号，该半导体存储器元件根据该自我更新控制信号执行自我更新运作；

多个存储器库，每一存储器库具有多个存储器单元；

一库地址产生器，用以产生一目标库地址至每一存储器库，该目标库地址指向一目标库以执行自我更新运作；

一自我更新计数器，用以指定这些存储器库中的一目标更新行；以及

一自我更新时序电路，包含：

一温度传感器，用以产生比例于一感测温度的一电压；

一参考电压源，用以产生与该感测温度无关的一固定电压；

一比较器，用以比较来自该温度传感器的该电压和该固定电压以产生一比较信号；

一致能时钟电路，用以产生一致能信号以根据一固定时间间隔致动该比较器；及

一振荡电路，用以根据该比较信号和该致能信号以产生一自我更新时钟信号，该自我更新时钟信号控制该库地址产生器和该自我更新计数器的运作频率。

8.如权利要求7的半导体存储器元件，其中该自我更新计数器包含一行地址计数器和一行递增计数器，该行地址计数器用以提供至这些存储器库的该目标更新行，而该行递增计数器用以控制该行地址计数器。

9.如权利要求7的半导体存储器元件，其中当该感测温度高于一预定温度时，该振荡电路产生具有一第一周期的该自我更新时钟信号，当该感测温度低于该预定温度时，该振荡电路产生具有一第二周期的该自我更新时钟信号，其中该第一周期小于该第二周期。

10.如权利要求7的半导体存储器元件，其中该致能时钟电路以该自我更新时钟信号的周期的整数倍致动该比较器。