[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板及其驱动方法与液晶显示器

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）阵列基板及其驱动方法与液晶显示器（Liquid Crystal Display，LCD）。

背景技术

随着液晶显示技术的不断发展，具有体积小、功耗低、无辐射等优点的LCD已逐渐取代阴极射线管（Cathode Ray Tube，CRT）显示器成为显示器件中的主流产品。

目前，LCD通常具有如图1所示的TFT阵列基板结构，所述TFT阵列基板包括至少一个由栅极线（Gate Line，简写为G）与数据线（Data Line，简写D）相互交叉形成的子像素区域（以图1所示的TFT阵列基板结构示意图为例，G₁、G₂、D₁以及D₂相互交叉后，即形成了一个子像素区域，同时，G_N、G_N+1、D_N以及D_N+1相互交叉后，也可以形成一个子像素区域），其中，每个子像素区域对应的子像素包括栅极与栅极线连接且漏极与数据线连接的晶体管11、一端与该晶体管11的源极相连且另一端与参考电压（Vcom）输出端（标记为a）相连的液晶电容12、以及一端与该晶体管11的源极相连且另一端与参考电压输出端相连的存储电容13。

其中，当一驱动电压通过数据线加载到所述晶体管11时，晶体管11所在的子像素区域被激活，达到显示效果。

目前，为了保证LCD各子像素在进行动态画面显示时的画面连续性，LCD大多采用每60HZ即改变一次驱动电压的方式（即电压转换频率为60HZ）来实现子像素的交流驱动，即使当LCD各子像素处于静态画面显示时，所述电压转换频率仍固定为60HZ。

但是，由于驱动LCD各子像素进行画面显示时产生的LCD功耗与驱动电压、驱动电压的电压转换频率以及LCD数据线上寄生电容的大小呈正比，因此，当LCD各子像素处于静态显示时，由于电压转换频率较高，会使得LCD产生较大的静态功耗。

发明内容

本发明实施例提供了一种TFT阵列基板及其驱动方法与LCD，用以解决现有技术中存在的LCD的电压转换频率较高导致LCD在静态画面显示时系统功耗较大的问题。

一种TFT阵列基板，包括至少一个由栅极线与数据线相互交叉形成的子像素区域，其中，每个子像素区域对应的子像素包括栅极与栅极线连接且漏极与数据线连接的第一晶体管、一端与该第一晶体管的源极相连且另一端与Vcom输出端相连的第一存储电容，所述子像素还包括第二存储电容和第二晶体管，其中：

所述第二存储电容的一端与第一晶体管的源极相连、另一端与第二晶体管的漏极相连；

所述第二晶体管的源极与Vcom输出端相连、栅极与使能（Enable）信号输出端（标记为b）相连。

进一步地，所述第二晶体管为金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）。

一种LCD，其中，所述LCD包括上述TFT阵列基板。

一种驱动上述TFT阵列基板的方法，所述方法包括：

当TFT阵列基板中的子像素进行动态画面显示时，Enable信号输出端向第二晶体管的栅极输入将该第二晶体管设置为开路状态的第一使能信号（第一Enable信号）；

当TFT阵列基板中的子像素进行静态画面显示时，Enable信号输出端向第二晶体管的栅极输入将该第二晶体管设置为导通状态的第二使能信号（第二Enable信号）。

本发明的有益效果为：

本发明实施例提供了一种TFT阵列基板及其驱动方法与LCD，所述TFT阵列基板的各子像素包括栅极与栅极线连接且漏极与数据线连接的第一晶体管以及一端与第一晶体管的源极相连且另一端与Vcom输出端相连的第一存储电容，同时，所述子像素还包括第二存储电容以及第二晶体管，其中，所述第二存储电容的一端与第一晶体管的源极相连、另一端与第二晶体管的漏极相连，所述第二晶体管的源极与Vcom输出端相连、栅极与Enable信号输出端相连。由于在本发明所述TFT阵列基板中，各子像素均增加了第二存储电容，因而增大了静态显示时存储电容的电容量，降低了静态显示时的电压转换频率，达到了降低了系统功耗的效果。

附图说明

图1所示为现有技术中TFT阵列基板结构示意图；

图2所示为本发明实施例一中所述TFT阵列基板结构示意图；