[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

(a)制备半导体衬底；

(b)在所述半导体衬底的主表面之上形成第一绝缘膜；

(c)通过等离子体干法蚀刻所述第一绝缘膜和所述半导体衬底在所述第一绝缘膜和所述半导体衬底中形成元件隔离沟槽；

(d)在所述半导体衬底的所述主表面之上形成第二绝缘膜以便填充所述沟槽；

(e)通过CMP移除所述沟槽外的所述第二绝缘膜，同时留下所述沟槽中的所述第二绝缘膜；以及

(f)通过湿法蚀刻移除所述第一绝缘膜以露出所述半导体衬底，

其中在所述步骤(f)中，湿法蚀刻所述第一绝缘膜，同时向所述半导体衬底的所述主表面的至少一部分施加140勒克斯或更高的光。

2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中在所述步骤(f)中，湿法蚀刻所述第一绝缘膜，同时向正在旋转的所述半导体衬底的所述主表面的至少一部分施加140勒克斯或更高的光。

3.根据权利要求2所述的制造半导体器件的方法，

其中在所述步骤(f)中，通过向旋转的所述半导体衬底的所述主表面供应待用于蚀刻所述第一绝缘膜的蚀刻溶液来湿法蚀刻所述第一绝缘膜。

4.根据权利要求3所述的制造半导体器件的方法，

其中在所述步骤(f)中，所述半导体衬底的所述主表面的任何区域在所述第一绝缘膜的湿法蚀刻期间具有被140勒克斯或更高的光照射的时间段。

5.根据权利要求4所述的制造半导体器件的方法，

其中所述第一绝缘膜是氧化物膜。

6.根据权利要求5所述的制造半导体器件的方法，

其中在所述步骤(b)中，通过热氧化形成所述第一绝缘膜。

7.根据权利要求6所述的制造半导体器件的方法，

其中所述方法还包括在所述步骤(b)之后但是在所述步骤(c)之前的步骤(b1)在所述第一绝缘膜之上形成第三绝缘膜；

其中在所述步骤(c)中，通过使所述第三绝缘膜、所述第一绝缘膜和所述半导体衬底经受等离子体干法蚀刻在所述第三绝缘膜、所述第一绝缘膜和所述半导体衬底中形成元件隔离沟槽，以及

其中所述方法还包括在所述步骤(e)之后但是在所述步骤(f)之前的步骤(e1)移除所述第三绝缘膜以露出所述第一绝缘膜。

8.根据权利要求7所述的制造半导体器件的方法，其中所述第三绝缘膜是氮化硅膜。

9.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其中在所述步骤(d)中，通过等离子体CVD形成所述第二绝缘膜。

10.根据权利要求9所述的制造半导体器件的方法，其中在所述步骤(d)中，通过高密度等离子体CVD形成所述第二绝缘膜。

11.根据权利要求10所述的制造半导体器件的方法，其中所述第二绝缘膜是氧化硅膜。

12.根据权利要求11所述的制造半导体器件的方法，其中在所述步骤(f)中，湿法蚀刻所述第一绝缘膜，同时在所述半导体衬底的所述主表面上不具有抗蚀剂层。

13.根据权利要求12所述的制造半导体器件的方法，其中在所述步骤(f)之后湿法蚀刻所述绝缘膜，而在所述半导体衬底的所述主表面上具有所述绝缘膜和位于所述绝缘膜上的抗蚀剂层，以露出所述半导体衬底时，防止具有100勒克斯或更高的光照射所述半导体衬底的所述主表面。

14.根据权利要求13所述的制造半导体器件的方法，其中所述绝缘膜用于MISFET的栅极绝缘膜。