[发明专利]一种偏振不敏感反射式波导光栅波分复用器件有效
申请号: | 201210233204.0 | 申请日: | 2012-07-05 |
公开(公告)号: | CN102749679A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
发明(设计)人: | 戴道锌 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | G02B6/293 | 分类号: | G02B6/293;G02B6/27 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 林怀禹 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 偏振 敏感 反射 波导 光栅 波分复用 器件 | ||
1.一种偏振不敏感反射式波导光栅波分复用器件,包括输入波导(1)、平板波导(2)、反射光栅(8)、以及一条或多条输出波导(6);输入波导(1)与一条或多条输出波导(6)位于平板波导(2)的同一侧,两者均与平板波导(2)的一端相连,平板波导(2)的另一端与反射光栅(8)相连;其特征在于:在输入波导(1)与平板波导(2)之间具有一个正向单偏振模式转换器(3),每条输出波导(6)与平板波导(2)之间都各自具有一个反向单偏振模式转换器(7);所述的反射光栅(8)为凹面光栅(8’),或所述的反射光栅(8)为由波导阵列(81)与反射镜(82)组成的反射式阵列波导光栅(8’’)。
2.根据权利要求1所述的一种偏振不敏感反射式波导光栅波分复用器件,其特征在于:所述的正向单偏振模式转换器(3)为1×1正向单偏振模式转换器,具有一个输入端口(30)和一个输出端口(31),从正向单偏振模式转换器(3)输入端(30)入射横磁TM基模时,输出横电TE高阶模;而从正向单偏振模式转换器(3)输入端(30)入射横电TE基模,输出仍为横电TE基模;所述的反向单偏振模式转换器(7) 为1×1反向单偏振模式转换器,具有一个输入端口(70)和一个输出端口(71),从反向单偏振模式转换器(7)输入端(70)入射横电TE高阶模时,输出横磁TM基模;而从反向单偏振模式转换器(7)输入端(70)入射横电TE基模,输出仍为横电TE基模;
或者是,所述的正向单偏振模式转换器(3)为1×1正向单偏振模式转换器,具有一个输入端口(30)和一个输出端口(31),从正向单偏振模式转换器(3)输入端(30)入射横电TE基模时,输出横磁TM高阶模;而从正向单偏振模式转换器(3)输入端(30)入射横磁TM基模,输出仍为横磁TM基模;所述的反向单偏振模式转换器(7)为1×1反向单偏振模式转换器,具有一个输入端口(70)和一个输出端口(71),从反向单偏振模式转换器(7)输入端(70)入射横磁TM高阶模时,输出横电TE基模;而从反向单偏振模式转换器(7)输入端(70)入射横磁TM基模,输出仍为横电TM基模。
3.根据权利要求1所述的一种偏振不敏感反射式波导光栅波分复用器件,其特征在于:所述的正向单偏振模式转换器(3)为1×2正向单偏振模式转换器,包含模式转换区(312)、以及由两条宽度不等的第一光波导(314a)、第二光波导(314b)所组成的非对称方向耦合器(314);模式转换区(312)与非对称方向耦合器(314)的第一光波导(314a)相连接,从模式转换区(312)的输入端口(3120)入射横磁TM基模时,经过模式转换区(312)后转化为横电TE高阶模,此横电TE高阶模进入非对称方向耦合器(314)的第一光波导(314a)后交叉耦合到第二光波导(314b)的横电TE基模,最终从第二光波导(314b)的输出端口(314b1)输出横电TE基模;而从模式转换区(312)的输入端口(3120)入射横电TE基模时,经过模式转换区(312)后仍然为横电TE基模,此横电TE基模进入非对称方向耦合器(314)的第一光波导(314a)后,最终从第一光波导(314a)的输出端口(314a1)输出横电TE基模;所述的反向单偏振模式转换器(3)为2×1反向单偏振模式转换器,包含由两条宽度不等的第一光波导(712a)、第二光波导(712b)所组成的非对称方向耦合器(712)、以及模式转换区(713),从非对称方向耦合器(712)的第二光波导(712b)的输入端(712b0)入射横电TE基模后,交叉耦合到其第一光波导(712a)的横电TE高阶模,再经过模式转换区(713)后转化为横磁TM基模,最终从模式转换区(713)的输出端口(7131)输出横磁TM基模;而非对称方向耦合器(712)的第一光波导(712a)的输入端(712a0)入射横电TE基模后,经过第一光波导(712a)传输至模式转换区(713),最终从模式转换区(713)的输出端口(7131)输出横电TE基模;
或者是,所述的正向单偏振模式转换器(3)为1×2正向单偏振模式转换器,包含模式转换区(312)、以及由两条宽度不等的第一光波导(314a)、第二光波导(314b)所组成的非对称方向耦合器(314);模式转换区(312)与非对称方向耦合器(314)的第一光波导(314a)相连接,从模式转换区(312)的输入端口(3120)入射横电TE基模时,经过模式转换区(312)后转化为横磁TM高阶模,此高阶模进入非对称方向耦合器(314)的第一光波导(314a)后交叉耦合到第二光波导(314b)的横磁TM基模,最终从第二光波导(314b)的输出端口(314b1)输出横磁TM基模;而从模式转换区(312)的输入端口(3120)入射横磁TM基模时,经过模式转换区(312)后仍然为横磁TM基模,此基模进入非对称方向耦合器(314)的第一光波导(314a)后,最终从第一光波导(314a)的输出端口(314a1)输出横磁TM基模;所述的反向单偏振模式转换器(3)为2×1反向单偏振模式转换器,包含由两条宽度不等的第一光波导(712a)、第二光波导(712b)所组成的非对称方向耦合器(712)、以及模式转换区(713),从非对称方向耦合器(712)的第二光波导(712b)的输入端(712b0)入射横磁TM基模后,交叉耦合到其第一光波导(712a)的横磁TM高阶模,再经过模式转换区(713)后转化为横电TE基模,最终从模式转换区(713)的输出端口(7131)输出横电TE基模;而非对称方向耦合器(712)的第一光波导(712a)的输入端(712a0)入射横磁TM基模后,经过第一光波导(712a)传输至模式转换区(713),最终从模式转换区(713)的输出端口(7131)输出横磁TM基模。
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