[发明专利]一种低温快速制备贵金属制件的方法有效
| 申请号： | 201210232562.X | 申请日： | 2012-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN102814499A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 瞿东;胡春峰;胡劲;黄庆;王玉天;申璐;周小兵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | B22F3/16 | 分类号： | B22F3/16 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 陈英俊 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低温 快速 制备 贵金属 制件 方法 | ||
1.一种低温快速制备贵金属制件的方法，其特征是：按照预成型的贵金属制件的形状尺寸设计模具，以贵金属粉体为原料，将原料装入模具，首先在10～100MPa压力下冷压成型，然后放入电火花离子烧结装置中，在真空或通有保护气氛条件下，控制升温速率加热至烧结温度，保温一定时间后，得到成型的贵金属制件。
2.根据权利要求1所述的低温快速制备贵金属制件的方法，其特征是：所述的贵金属粉体是一种贵金属元素的单质粉体，或者是几种贵金属元素的混合粉体。
3.根据权利要求1所述的低温快速制备贵金属制件的方法，其特征是：所述的贵金属粉体的粒度为50～600目。
4.根据权利要求1所述的低温快速制备贵金属制件的方法，其特征是：所述的模具是石墨模具。
5.根据权利要求1所述的低温快速制备贵金属制件的方法，其特征是：所述的真空烧结过程中，真空度为10-4～10-2Pa。
6.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的低温快速制备贵金属制件的方法，其特征是：所述的烧结过程中，升温速率为50～700℃/min。
7.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的低温快速制备贵金属制件的方法，其特征是：所述的烧结过程中，烧结温度为600～2200℃。
8.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的低温快速制备贵金属制件的方法，其特征是：所述的烧结过程中，保温时间为1～60min。
9.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的低温快速制备贵金属制件的方法，其特征是：所述的烧结过程中，施加10～80MPa的压力。
10.根据权利要求9所述的低温快速制备贵金属制件的方法，其特征是：加热至烧结温度后，保温、保压一定时间，得到成型的贵金属制件。
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