[发明专利]金融鉴伪磁传感器及其制作方法、金融鉴伪机无效

专利信息
申请号: 201210232250.9 申请日: 2012-07-06
公开(公告)号: CN103530930A 公开(公告)日: 2014-01-22
发明(设计)人: 时启猛;刘乐杰;曲炳郡 申请(专利权)人: 北京嘉岳同乐极电子有限公司
主分类号: G07D7/04 分类号: G07D7/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100083 北京市海淀区*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 金融 鉴伪磁 传感器 及其 制作方法 鉴伪机
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种金融鉴伪磁传感器及其制作方法、金融鉴伪机。

背景技术

磁传感器中的敏感单元对由磁场、电流、应力应变、温度、光等的变化引起的磁变化有敏感作用,即,磁变化会导致敏感单元的磁性能发生变化。将敏感单元的磁性能变化转换成电信号,通过测量电信号即可获得对应地磁场、电流、应力应变、温度或光等物理量的值。由于微小的磁变化都会引起敏感单元的磁性能发生变化。因此,磁传感器被广泛应用于航空、航天、微电子,地质探矿、医学成像、信息采集以及军事等高精密领域。

目前,被广泛使用的磁传感器为线圈式磁传感器,即,敏感单元为线圈。图1为现有金融鉴伪机(如验钞机或其它金融机具中的鉴伪单元)采用的磁传感器的结构简图。如图1所示,磁传感器包括壳体101、磁芯105、线圈109以及印制电路板113。在外壳101的顶端设有开口103。磁芯105包括第一磁芯105a和第二磁芯105b,第一磁芯105a和第二磁芯105b借助支架111固定在壳体101内。在第一磁芯105a和第二磁芯105b的顶部设有凸部,凸部自开口103伸出壳体101外。在凸部的顶端的中心位置设有磁隙107。在磁隙107的下方设有线圈109,线圈109与印制电路板113电连接,印制电路板113通过焊针114与金融鉴伪机中其他系统(图中未示出)连接。

使用时,将磁芯105的凸部从钞票磁性油墨条或磁性金属条表面划过。由于磁隙107的存在,使得线圈109周围的磁场发生变化,从而在线圈109中形成感生电动势。该感生电动势的大小与钞票磁性油墨条或磁性金属条的磁场强度成比例,据此可辨别钞票的真伪。

随着金融业点钞、验钞技术的发展以及假钞仿真度的不断提高,现有的磁传感器已无法满足金融业的发展要求。为了提高金融鉴伪机的灵敏度以及扩大受检范围,需要增加线圈109的匝数并延长磁隙107长度。然而,这将增大磁传感器的体积。另外,线圈式磁传感器还具有灵敏度低、响应慢、分辨率低、稳定性和可靠性较差等缺陷,导致现有的金融鉴伪机越来越不能适应金融业的发展需要。

发明内容

本发明要解决的技术问题就是针对金融鉴伪机中存在的上述缺陷,提供一种金融鉴伪磁传感器及其制作方法,其灵敏度高,响应速度快,而且体积小。

为此,本发明还提供一种金融鉴伪机,其其灵敏度高,响应速度快,而且体积小。

为解决现有技术中存在的上述缺陷,本发明还提供一种金融鉴伪磁传感器,包括壳体和磁传感器芯片,在所述壳体上设有导磁孔,所述磁传感器芯片设置在所述壳体内,并且所述磁传感器芯片的感应面与所述导磁孔的位置相对,所述磁传感器芯片包括惠斯通电桥电路,所述惠斯通电桥电路包括至少两段彼此平行且钉扎方向相反的磁敏感薄膜。

其中,所述壳体包括引入边、感应磁导面以及尾随边,所述导磁孔设置在所述感应磁导面上,所述引入边和所述尾随边分别设置在所述感应磁导面相对的两侧,并且,所述引入边的长度大于或等于尾随边得长度。

其中,所述磁传感器芯片的感应面低于所述壳体的上表面。

其中,还包括绝缘间隔,所述绝缘间隔设置在所述壳体的内侧的上底面,在所述绝缘间隔上设有通孔,且所述通孔与所述导磁孔的位置相对;

所述磁传感器芯片设置在所述绝缘间隔的通孔内,且所述磁传感器芯片的感应面低于所述绝缘间隔靠近所述壳体一侧的面。

其中,还包括印刷电路板,所述印刷电路板设置在所述壳体内,所述磁传感器芯片和所述绝缘间隔通过粘胶或环氧树脂固定在印刷电路板上,并且所述磁传感器芯片与所述印刷电路板电连接。

其中,在所述磁敏感薄膜的端部或两侧设有多个电极,借助所述电极使所述印刷电路板和所述惠斯通电桥电路连接。

其中,在所述印制电路板设有至少三根焊针,所述焊针通过锡焊方式与所述印制电路板内的线路和焊盘电连接。

其中,在所述壳体内设有多个所述磁传感器芯片,对应地,在所述绝缘间隔和所述壳体上分别设有与所述磁传感器芯片数量相等的所述通孔和导磁孔,每一所述磁传感器芯片对应一所述绝缘间隔的通孔和一所述导磁孔;或者,

在所述壳体内设有多个所述磁传感器芯片,在所述绝缘间隔和所述壳体上设有一个导磁孔,所述多个磁传感器芯片设置在所述绝缘间隔的通孔内,并与所述导磁孔相对。

其中,每段所述磁敏感薄膜包括多节分段式磁敏感薄膜单元,而且相邻两个所述分段式磁敏感薄膜单元通过导电材料电连接。

其中,所述磁敏感薄膜包括巨磁阻磁敏感薄膜、各向异性磁阻磁敏感薄膜、隧穿效应磁阻磁敏感薄膜、巨磁阻抗效应磁阻磁敏感薄膜、霍尔效应薄膜或巨霍尔效应薄膜。

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