[发明专利]蒸镀掩模及其制造方法、电子器件及其制造方法

说明书

技术领域

本公开涉及适用于设置在电子电路等中的电子器件的导电膜的形成工艺的蒸镀掩模及其制造方法。

背景技术

在比如薄膜晶体管(TFT)等电子器件中，其电极部分的图案能够通过使用蒸镀掩模(遮蔽掩模)来形成。这种蒸镀掩模是通过湿蚀刻在例如金属板上形成对应于电极图案的开口图案而形成的(日本未审查专利申请2003-77660号公报)。此外，通过所谓电铸方法形成蒸镀掩模的方法已被提出(日本未审查专利申请2006-60054号公报)。

然而，在根据日本未审查专利申请2003-77660号公报的前述方法中，开口的形状和尺寸取决于金属板的膜厚(取决于开口部的给定纵横比)。金属板的膜厚等于或者大于数十微米。因此，在这种方法中，不易形成微细图案。另一方面，在使用根据日本未审查专利申请2006-60054号公报的电铸方法的方法中，通过电解沉积金属材料来形成掩模，因此在掩模的膜厚中容易发生不均匀性。此外，由于开口的边缘(内壁部)容易膨出，开口的宽度不易得到控制。

发明内容

希望的是提供能够以精细图案形成蒸镀膜的蒸镀掩模，制造蒸镀掩模的方法，和使用这种蒸镀掩模制造电子器件的方法。此外，还希望的是提供具有以精细图案精确地形成的成膜图案的电子器件。

根据本公开一实施例，提供了一种蒸镀掩模，其包括：包括一个或多个第一开口部的基板；和设置在所述基板的第一主表面侧的高分子膜，所述高分子膜包括与相应第一开口部连通的一个或多个第二开口部。

根据本公开的实施例，提供了一种制造蒸镀掩模的方法，所述方法包括：在基板中形成一个或多个第一开口部；以及在所述基板的第一主表面侧形成包括一个或多个第二开口部的高分子膜，所述一个或多个第二开口部与所述一个或多个第一开口部连通。

在根据本公开的实施例的蒸镀掩模和根据本公开的实施例的制造蒸镀掩模的方法中，在具有一个或多个第一开口部的基板的第一主表面侧设置有高分子膜。所述高分子膜具有与相应第一开口部相对的一个或多个第二开口部。通过使蒸镀材料穿过第一开口部和第二开口部，以给定图案形成蒸镀膜。通过使用基板和高分子膜，在机械强度得到保持的同时，比起蒸镀掩模只由金属膜制成的情况，能够在第二开口部中实现更细微和更精确的开口形状。

根据本公开的一个实施例，提供了一种电子器件，其在基板上的选择区域中包括导电膜。在所述导电膜中，导电膜的底脚部倾斜成随着其位置越靠近基板侧斜度越缓和。

根据本公开的一个实施例，提供了一种制造电子器件的方法，所述方法包括通过使用蒸镀掩模形成导电膜。所述蒸镀掩模包括基板和高分子膜，所述基板包括一个或多个第一开口部，而所述高分子膜设置在所述基板的第一主表面侧并包括与相应第一开口部连通的一个或多个第二开口部。

在根据本公开的实施例的蒸镀掩模和根据本公开的实施例的制造蒸镀掩模的方法中，在具有一个或多个第一开口部的基板的第一主表面侧设置有高分子膜。在所述高分子膜中，一个或多个第二开口部设置成与相应的第一开口部相对。因此，能够在第二开口部中实现微细且精确的开口形状。此外，能够以精细图案形成蒸镀膜。此外，在根据本公开的实施例的电子器件和制造电子器件的方法中，通过在制造工艺中使用根据本公开的实施例的前述蒸镀掩模，能够以精细图案形成导电膜。

应该明白的是，以上概略描述和以下详细描述均是示例性的，并且旨在对所要求的技术提供进一步的说明。

附图说明

附图被包括以实现进一步理解本公开，并被组入而构成本说明书的一部分。附图示出了实施例，并与说明书一起，用于说明本技术的原理。

图1是示出了本公开一实施例的蒸镀掩模的概略构造的透视图。

图2是图1所示蒸镀掩模的开口附近的截面图。

图3A-3C是依步骤顺序示出了图1所示蒸镀掩模的制造方法的视图。

图4A-4C是示出了图3C中的步骤后的步骤的视图。

图5A-5B是示出了图4C中的步骤后的步骤的视图。

图6A-6C是用于说明通过使用图1所示蒸镀掩模形成的蒸镀膜的示意图。

图7A和7B是用于说明第一变型例的蒸镀掩模的制造方法的视图。

图8A和8B是示出了通过使用图1所示蒸镀掩模形成的薄膜晶体管的示例的俯视图和截面图。

图9是图8所示薄膜晶体管的另一截面图。

图10A和10B是依步骤顺序示出了图8所示薄膜晶体管的制造方法的俯视图和截面图。

图11A和11B是示出了图10A和10B中的步骤后的步骤的视图。