[发明专利]蒸镀掩模及其制造方法、电子器件及其制造方法

权利要求书

1.一种蒸镀掩模，包括：

包括一个或多个第一开口部的基板；和

设置在所述基板的第一主表面侧的高分子膜，所述高分子膜包括与相应第一开口部连通的一个或多个第二开口部。

2.如权利要求1所述的蒸镀掩模，其中，所述高分子膜的膜厚小于所述基板的厚度。

3.如权利要求2所述的蒸镀掩模，其中，所述高分子膜的膜厚大致等于或小于20μm。

4.如权利要求3所述的蒸镀掩模，其中，所述第二开口部的开口形状包括与所述高分子膜的膜厚相应的微细形状。

5.如权利要求4所述的蒸镀掩模，其中，

设置有多个第二开口部，

所述多个第二开口部的各开口形状包括线性形状，并且

所述多个第二开口部沿与其延伸方向大致垂直的方向并列设置。

6.如权利要求4所述的蒸镀掩模，其中，

设置有多个第二开口部，并且

所述多个第二开口部的各开口形状在其一部分或全部中包括梳子状形状。

7.如权利要求1所述的蒸镀掩模，其中，在所述高分子膜上设置有感光性树脂层。

8.如权利要求1所述的蒸镀掩模，其中，在所述基板的第二主表面侧设置有感光性树脂层。

9.如权利要求1所述的蒸镀掩模，其中，

设置有多个第一开口部和多个第二开口部，并且

第一开口部和第二开口部配设成一一对应的方式。

10.如权利要求1所述的蒸镀掩模，其中，

设置有多个第二开口部，并且

两个或更多个第二开口部配设成与一个第一开口部相对。

11.如权利要求1所述的蒸镀掩模，其中，第一开口部的截面形状的宽度在所述基板的第一主表面侧比在所述基板的第二主表面侧大。

12.一种电子器件，包括：

位于基板上的选择区域中的导电膜，

其中，在所述导电膜中，其底脚部倾斜成随着位置越靠近基板侧斜度越缓和。

13.如权利要求12所述的电子器件，其中，所述导电膜是晶体管的源电极和漏电极。

14.如权利要求13所述的电子器件，从基板侧顺次包括：

栅电极；

栅绝缘膜；

半导体层；和

保护膜，

其中，在所述保护膜上设置有作为所述导电膜的所述源电极和所述漏电极，并且

所述源电极和所述漏电极的一部分或全部的宽度大致等于或小于20μm。

15.如权利要求14所述的电子器件，其中，所述源电极和所述漏电极分别包括梳子状形状。

16.如权利要求12所述的电子器件，所述电子器件是有机薄膜晶体管。

17.一种制造蒸镀掩模的方法，包括：

在基板中形成一个或多个第一开口部；以及

在所述基板的第一主表面侧形成包括一个或多个第二开口部的高分子膜，所述一个或多个第二开口部与所述一个或多个第一开口部连通。

18.如权利要求17所述的方法，其中，

在所述基板的第一主表面侧形成高分子膜后，在所述高分子膜上图案式地形成感光性树脂层，通过将所述感光性树脂层用作掩模的蚀刻在所述高分子膜中形成所述第二开口部，并且

在所述基板的第二主表面侧图案式地形成另一感光性树脂层后，通过将所述另一感光性树脂层用作掩模的蚀刻在所述基板中形成第一开口部。

19.如权利要求17所述的方法，其中，

在所述基板的第一主表面侧形成高分子膜后，接下来在所述高分子膜上图案式地形成感光性树脂层，通过将所述感光性树脂层用作掩模的蚀刻在所述高分子膜中形成所述第二开口部，并且

然后通过将包括所述第二开口部的高分子膜用作掩模的蚀刻在所述基板中形成所述第一开口部。

20.一种制造电子器件的方法，包括：

通过使用蒸镀掩模形成导电膜，

其中，所述蒸镀掩模包括基板和高分子膜，所述基板包括一个或多个第一开口部，而所述高分子膜设置在所述基板的第一主表面侧并包括与相应第一开口部连通的一个或多个第二开口部。