[发明专利]一种晶体形式的厄他培南中间体及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种式Ⅰ化合物晶体，其以2θ衍射角度表示的X-射线粉末衍射图谱的特征值位于5.10±0.20°、8.99±0.20°、10.31±0.20°、15.22±0.20°、17.09±0.20°和22.66±0.20°

2.根据权利要求1所述的式I化合物晶体，其以2θ衍射角度表示的X-射线粉末衍射图谱的特征值位于5.10±0.20°、8.99±0.20°、10.31±0.20°、12.69±0.20°、15.22±0.20°、15.93±0.20°、17.09±0.20°、17.61±0.20°、22.66±0.20°和25.20±0.20°。

3.根据权利要求2所述的式I化合物晶体，其具有基本上如图1所示的X-射线粉末衍射图谱。

4.根据权利要求1-3任一项所述的式I化合物晶体，其熔点为176~179℃。

5.根据权利要求1-3任一项所述的式I化合物晶体，其红外光谱的特征峰用cm^-1表示为：3298，3082，2968，1772，1697，1595，1521，1423，1375，1344，1197，1125，854，750和736。

6.一种制备权利要求1-5任一项所述的式I化合物晶体的方法，包括：获得式Ⅰ化合物在乙酸C1-6烷基酯溶剂中的溶液，在-35℃~10℃的温度下结晶，得到式Ⅰ化合物晶体。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述式I化合物在乙酸C1-6烷基酯溶剂中的浓度为0.08~0.22g/ml；优选地，式I化合物在乙酸C1-6烷基酯溶剂中的浓度为0.13~0.17g/ml。

8.根据权利要求6所述的方法，其中在-10℃~5℃的温度下结晶。

9.根据权利要求6-8任一项所述的方法，其中所述乙酸C1-6烷基酯为乙酸C2-4烷基酯；优选地，所述乙酸C2-4烷基酯为乙酸乙酯或乙酸异丙酯。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述溶液通过将非晶体形式的式Ⅰ化合物溶解于所述乙酸C2-4烷基酯溶剂中获得，溶解温度为0℃～10℃。

11.根据权利要求9所述的方法，其中所述溶液通过将含式I化合物的反应液用所述乙酸C2-4烷基酯溶剂萃取后获得。

12.根据权利要求9所述的方法，其中在结晶前，在所述溶液中加入式Ⅰ化合物晶体作为晶种，所述晶种的重量为所述溶液中式Ⅰ化合物理论重量的1.0%~5.0%。

13.根据权利要求9所述的方法，其中在结晶前，用水或缓冲液洗涤所述溶液，然后干燥洗涤后的溶液。

14.根据权利要求9所述的方法，其中结晶时间为3小时～24小时。

15.根据权利要求1-5任一项所述的式Ⅰ化合物晶体在制备厄他培南钠中的应用。