[发明专利]高压触发管以及烤炉烤箱和金属卤素灯的触发电路有效
申请号: | 201210229211.3 | 申请日: | 2012-07-04 |
公开(公告)号: | CN102760774A | 公开(公告)日: | 2012-10-31 |
发明(设计)人: | 王萌 | 申请(专利权)人: | 王萌 |
主分类号: | H01L29/87 | 分类号: | H01L29/87;H01L29/06;H03K17/70;H05B41/282 |
代理公司: | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人: | 王爱伟 |
地址: | 215021 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高压 触发 以及 烤炉 烤箱 金属 卤素灯 电路 | ||
1.一种触发管,其特征在于:其包括P型衬底、分别位于P型衬底两侧的两个N长基区、分别设置在每个N长基区上的P型发射极、覆盖于每个N长基区及P型发射极的外侧表面的合金层以及连接于合金层上的金属电极,其中在P型衬底与两侧的N长基区的结合处分别蚀刻有外沟槽,外沟槽边上覆盖有钝化玻璃粉层。
2.根据权利要求1所述的触发管,其特征在于:其还包括有设于每个N长基区和P型衬底之间的P型埋层。
3.根据权利要求1所述的触发管,其特征在于:所述P型衬底采用掺有P型杂质的<111>晶向的直拉或者区融的单晶硅作为衬底材料,掺杂的浓度保持在1-150欧姆的方块电阻。
4.根据权利要求1所述的触发管,其特征在于:所述P型埋层是利用带有图形的掩模版制作适当图形的氧化层,利用氧化层的掩膜,采用双面离子注入的方式得到,离子注入的浓度在2E12-2E14ions/cm2。
5.根据权利要求1所述的触发管,其特征在于:通过双面磷扩散形成10-35欧姆的方块电阻的所述N长基区。
6.根据权利要求5所述的触发管,其特征在于:通过表面扩散P型杂质得到所述发射极,扩散浓度在1-2欧姆的方块电阻。
7.根据权利要求6所述的触发管,其特征在于:在非发射极区进行二次磷扩散,浓度在1-3欧姆方块电阻。
8.根据权利要求1所述的触发管,其特征在于:对形成所述触发管的晶圆、触发管的成品或半成品进行电子辐照。
9.一种烤炉烤箱的触发电路,其特征在于,其包括:
电源;
依次串联在电源的两端之间的二极管、第一电阻和第一电容;
与第一电容并联的且相互串联的变压器的初级线圈和触发管,
其中所述触发管为权利要求1-8任一所述的触发管。
10.一种金属卤素灯的触发电路,其特征在于,其包括:
依次串联在两个电源输入端之间的整流器、变压器初级侧、触发管、第一电感和第一电阻;
与变压器初级侧、触发管和第一电感并联的第一电容;
与第一电阻并联的第二电容;和
连接于变压器的次级侧和一个电源输入端之间的金属卤素灯,
其中,所述触发管由两个权利要求1-8任一所述的触发管串联后封装而成。
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