[发明专利]一种掩模板

说明书

技术领域

本发明涉及半导体工艺技术领域，尤其涉及一种掩模板。

背景技术

在半导体制作工艺技术领域，通过掩模板对涂覆有光刻胶的目标基板进行光刻形成一种光刻图案，并对光刻图案进行刻蚀，实现将掩模板上的图案转移到目标基板上是非常重要的一个环节。

光刻过程是通过曝光机和具有狭缝状透光区域的掩模板对涂覆有光刻胶的目标基板进行掩模曝光的过程。最终将掩模板上的狭缝状透光区域形成的图案转移到目标基板上，对目标基板进行刻蚀，得到目标基板上一定宽度的狭缝状图形结构。

在微光刻领域，绘制到目标基板上的图形结构多数是线状，如电路线，由于半导体日渐趋于小型化，图形的线宽最小化成为各厂家的追求目标。但是由于曝光机曝光精度的制约，目前制作出的目标基板上的最小线宽的图案的宽度在3μm以上（大于3μm），对应的掩模板上狭缝状透光区域的线宽为3-5μm。

对于尺寸较小的显示产品，如手机，减小电路之间的距离或减小电路线的宽度，对提高产品的分辨率或者像素的开口率都是至关重要的。

实现微米量级线宽的图案在半导体领域非常常见。例如，薄膜晶体管TFT结构的源极和漏极之间的距离（缝隙宽度）需设计在微米量级，或者某些电路线的线宽需要设计在微米量级。相应地，掩模板上的狭缝状透光区域的两边缘的距离也需设计在微米量级。但是由于曝光机曝光精度的限制，目前的曝光系统和相应的掩模板，在保证光刻质量的前提下，只能制作出目标基板上的线宽为3μm以上的图案，无法得到线宽为3μm及以下的图案。以实现TFT源极和漏极之间的缝隙为例，源极和漏极之间的缝隙宽度越小越好，这样有利于提高像素的开口率，进而提高TFT的光学特性。

现有实现3μm以上线宽图案的掩模板如图1所示，包括透光区域和不透光区域，狭缝状透光区域的边缘的设置为直线状结构。图1中所述的透光区域的狭缝状透光区域的两边缘之间的垂直距离为3μm，得到的缝隙的线宽不小于3μm。如果想要得到线宽更窄的缝隙，在曝光机的曝光光源一定的情况下，只能减小掩模板上狭缝状透光区域的宽度。但是，目标基板上的线状图案，是曝光机发出的光经掩模板上狭缝状透光区域发生衍射得到的衍射条纹图案，该图案为线状图案。光发生衍射的条件为：缝隙（狭缝状透光区域的宽度）的宽度和入射光（曝光机发出的光）的波长相当或差不多。当缝隙太小时，光线通过缝隙会发生光的散射现象而不是光的衍射现象，无法形成衍射图案。即使能够形成衍射图案，由于目标基板上的光刻胶接收到的光强太小，导致图案光刻不完全，源极和漏极之间的导电膜层无法被彻底刻蚀掉，造成源极和漏极之间短路。因此，现有技术的掩模板无法实现线宽更窄的图案。

发明内容

本发明实施例提供一种掩模板，用以通过该掩模板实现目标基板上线宽更窄的图形结构。

本发明提供的掩模板，包括：狭缝状透光区域和不透光区域，所述狭缝状透光区域的边缘呈凸起状。

较佳地，所述凸起状为锯齿状或波浪状。

较佳地，所述狭缝状透光区域每一边缘上的任意相邻凸起部分之间的距离相等，所述狭缝状透光区域每一边缘上的任意相邻凹进去部分之间的距离相等。

较佳地，所述狭缝状透光区域的两边缘呈锯齿状，凸起部分的形状为以凸起的角为顶角的等腰三角形，凹进去部分的形状为以凹进去的角为顶角的等腰三角形；或

狭缝状透光区域的两边缘呈锯齿状，凸起部分的形状为以凸起的角为顶角的等腰三角形，凹进去的部分的形状为与等腰三角形共腰的等腰梯形。

较佳地，所述等腰三角形的顶角范围为15°至75°。

较佳地，所述狭缝状透光区域的两边缘镜像对称。较佳地，所述狭缝状透光区域的两边缘任意相对凸起部分之间的距离相等；和/或

所述狭缝状透光区域的两边缘任意相对凹进去部分之间的距离相等。

较佳地，两边缘上任意相对凸起部分之间的距离在1μm至3μm之间，两边缘上任意相对凹进去部分之间的距离为3μm。

较佳地，狭缝状透光区域的每一边缘的两端为凸起状或凹状。

较佳地，当狭缝状透光区域的每一边缘的两端为凸起状时，凸起部分的形状为直角三角形或直角梯形。

较佳地，当狭缝状透光区域每一边缘的两端为凹状时，狭缝状透光区域两边缘的两端相对凸起部分之间的距离小于狭缝状透光区域两边缘中间相对凸起部分之间的距离；或者

狭缝状透光区域所有相对凸起部分之间的距离相等，狭缝状透光区域边缘两端相对凹进去部分之间的距离小于狭缝状透光区域边缘中间相对凹进去部分之间的距离。