[发明专利]像素电路、显示器、电子装置和像素电路的驱动方法有效
申请号: | 201210226078.6 | 申请日: | 2012-06-29 |
公开(公告)号: | CN102867840A | 公开(公告)日: | 2013-01-09 |
发明(设计)人: | 丰村直史;内野胜秀 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/32 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 武玉琴;陈桂香 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 电路 显示器 电子 装置 驱动 方法 | ||
1.一种像素电路,其包括:
电光元件;
保持电容;
写入晶体管,其将与施加到所述写入晶体管的一个主电极端的视频信号相对应的驱动电压写入到所述保持电容;和
驱动晶体管,其根据写入到所述保持电容的所述驱动电压驱动所述电光元件,所述驱动晶体管的控制输入端在第一节点处连接到所述保持电容的一端,
其中,所述驱动晶体管的一个主电极端、所述保持电容的另一端和所述电光元件的一端电连接到第二节点,且
所述像素电路抑制所述电光元件在第一处理中导通,所述第一处理是在通过所述写入晶体管将对应于所述视频信号的所述驱动电压写入到所述保持电容的同时通过所述驱动晶体管向所述保持电容提供电流的处理。
2.根据权利要求1所述的像素电路,其中,所述电光元件在所述第一处理开始之前被预先控制成反向偏置状态,以至于所述电光元件在所述第一处理中不会导通。
3.根据权利要求1所述的像素电路,其还包括控制部,所述控制部用于抑制所述电光元件在对应于所述视频信号的所述驱动电压被写入到所述保持电容的同时通过所述驱动晶体管向所述保持电容提供电流的所述第一处理中导通。
4.根据权利要求3所述的像素电路,其中,所述控制部在所述第一节点和所述驱动晶体管的另一主电极端之间包括阈值电压修正控制晶体管,所述阈值电压修正控制晶体管用于控制第二处理,所述第二处理是修正所述驱动晶体管的阈值电压的处理。
5.根据权利要求3所述的像素电路,其中,所述控制部在所述写入晶体管的另一主电极端和所述第二节点之间包括耦合电容。
6.根据权利要求5所述的像素电路,其中,在修正所述驱动晶体管的阈值电压的第二处理中,通过所述写入晶体管向所述耦合电容提供初始化电压。
7.根据权利要求5所述的像素电路,其中,所述控制部包括初始化晶体管,所述初始化晶体管用于在修正所述驱动晶体管的阈值电压的第二处理中向所述耦合电容提供初始化电压。
8.根据权利要求6或7所述的像素电路,其中,所述初始化电压的极性是能够在所述第一处理开始之前将所述电光元件控制为反向偏置状态的极性。
9.根据权利要求3所述的像素电路,其中,所述控制部在所述驱动晶体管的另一主电极端和电源线之间包括发光控制晶体管。
10.根据权利要求1所述的像素电路,其还包括:
像素部,在所述像素部中布置有多个所述电光元件;及
特性控制部,针对各个所述电光元件,所述特性控制部控制所述驱动晶体管的特性。
11.根据权利要求10所述的像素电路,其中,所述电光元件在所述像素部中布置成二维矩阵。
12.根据权利要求1所述的像素电路,其中,所述电光元件是自发光型的。
13.根据权利要求12所述的像素电路,其中,所述电光元件包括有机电致发光发光部。
14.一种显示器,其包括控制部和布置成阵列的显示元件,各个所述显示元件包括:
电光元件;
保持电容;
写入晶体管,其将与施加到所述写入晶体管的一个主电极端的视频信号相对应的驱动电压写入到所述保持电容;和
驱动晶体管,其根据写入到所述保持电容的所述驱动电压驱动所述电光元件,所述驱动晶体管的控制输入端在第一节点处连接到所述保持电容的一端,
其中,所述驱动晶体管的一个主电极端、所述保持电容的另一端和所述电光元件的一端电连接到第二节点,以及
所述控制部抑制所述电光元件在第一处理中导通,所述第一处理是在通过所述写入晶体管将对应于所述视频信号的所述驱动电压写入到所述保持电容的同时通过所述驱动晶体管向所述保持电容提供电流的处理。
15.根据权利要求14所述的显示器,其中,所述控制部在所述第一处理开始之前预先将所述电光元件控制成反向偏置状态,以至于所述电光元件在所述第一处理中不会导通。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的