[发明专利]CMP用研磨液以及研磨方法

权利要求书

1.一种CMP用研磨液的应用，其特征在于，所述CMP用研磨液用于将基板中的阻挡金属和层间绝缘膜的一部分除去的研磨，所述基板具有：表面上具有凹部和凸部的所述层间绝缘膜、对所述层间绝缘膜沿着表面进行覆盖的所述阻挡金属的层、填充所述凹部且覆盖所述阻挡金属的导电性物质层，

所述CMP用研磨液含有介质和分散在所述介质中的胶态二氧化硅粒子，所述胶态二氧化硅粒子满足下面（1）～（3）的条件：

（1）从通过扫描电子显微镜观察所述胶态二氧化硅粒子得到的图像中选择任意的20个粒子，所述20个粒子的二轴平均一次粒径（R₁）为35～55nm；

（2）具有与在所述（1）中求得的二轴平均一次粒径（R₁）相同粒径的正球体的比表面积计算值为S₀，通过BET法测定的所述胶态二氧化硅粒子的比表面积为S₁，用S₀去除S₁所得到的值S₁/S₀为1.20以下；

（3）在CMP用研磨液中，通过动态光散射方式粒度分布计测定的所述胶态二氧化硅粒子的二次粒径（Rs）与在所述（1）中求得的二轴平均一次粒径（R₁）的比（缔合度：Rs/R₁）为1.30以下。

2.一种CMP用研磨液的应用，其特征在于，所述CMP用研磨液用于包含第1研磨工序和第2研磨工序的研磨方法中的所述第2研磨工序，

所述第1研磨工序为研磨基板的导电性物质层使得凸部的阻挡金属露出的工序，所述基板具有：表面上具有凹部和所述凸部的层间绝缘膜、对所述层间绝缘膜沿着表面进行覆盖的所述阻挡金属的层、填充所述凹部且覆盖所述阻挡金属的所述导电性物质层，

所述第2研磨工序为至少研磨阻挡金属以及凹部的导电性物质层的工序，

所述CMP用研磨液含有介质和分散在所述介质中的胶态二氧化硅粒子，所述胶态二氧化硅粒子满足下面（1）～（3）的条件：

（1）从通过扫描电子显微镜观察所述胶态二氧化硅粒子得到的图像中选择任意的20个粒子，所述20个粒子的二轴平均一次粒径（R₁）为35～55nm；

（2）具有与在所述（1）中求得的二轴平均一次粒径（R₁）相同粒径的正球体的比表面积计算值为S₀，通过BET法测定的所述胶态二氧化硅粒子的比表面积为S₁，用S₀去除S₁所得到的值S₁/S₀为1.20以下；

（3）在CMP用研磨液中，通过动态光散射方式粒度分布计测定的所述胶态二氧化硅粒子的二次粒径（Rs）与在所述（1）中求得的二轴平均一次粒径（R₁）的比（缔合度：Rs/R₁）为1.30以下。