[发明专利]一种监测F元素离子注入制程均一性与稳定性的方法有效
| 申请号： | 201210225788.7 | 申请日： | 2012-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN102768967A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 范荣伟;龙吟;倪棋梁;王恺;陈宏璘 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 监测 元素 离子 注入 均一 稳定性 方法 | ||
1.一种监测F元素离子注入制程均一性与稳定性的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：提供一晶圆，将所述晶圆划分成多块晶粒区域；
S2：在所述晶粒区域中注入一定剂量的F元素；
S3：在掺杂有F元素离子的所述晶粒区域表面沉积一层氧化物；
S4：对所述晶粒区域进行高温退火工艺，在所述氧化物表面产生凸起；
S5：对所述晶粒区域的所述凸起进行周长测量，计算所有所述凸起的周长之和；
S6：确定不同剂量的F元素，重复执行步骤S1-S5，建立周长-F元素注入剂量之间的关系数据库系统。
2.根据权利要求1所述的监测F元素离子注入制程均一性与稳定性的方法，其特征在于，在执行步骤S6之前，重复多次执行步骤S1-S5，重复注入同一剂量的F元素，计算出多个所述凸起的周长之和数值，对所述多个周长之和的数值进行平均计算，得出平均周长数值。
3.根据权利要求1所述的监测F元素离子注入制程均一性与稳定性的方法，其特征在于，所述氧化物为含有硅元素的氧化物。
4.根据权利要求1所述的监测F元素离子注入制程均一性与稳定性的方法，其特征在于，所述晶粒区域的面积为20umx50um。
5.根据权利要求1所述的监测F元素离子注入制程均一性与稳定性的方法，其特征在于，在步骤S5中，采用电子显微镜的量化制程监测方法测算所述凸起的周长。
6.根据权利要求1所述的监测F元素离子注入制程均一性与稳定性的方法，其特征在于，在步骤S4中，所述高温退火工艺为RTA退火工艺。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
