[发明专利]液晶显示装置的阵列基板有效
申请号: | 201210224113.0 | 申请日: | 2012-06-29 |
公开(公告)号: | CN103293727A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 黄忠守;周思思 | 申请(专利权)人: | 上海中航光电子有限公司 |
主分类号: | G02F1/133 | 分类号: | G02F1/133;G02F1/1362;G02F1/1339 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201108 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 显示装置 阵列 | ||
技术领域
本发明涉及液晶显示领域,特别是涉及一种用于液晶显示装置的阵列基板。
背景技术
平面显示器是目前主流的显示器,其中液晶平面显示器因为具有外型轻薄、省电以及无辐射等优点而被广泛地应用于电脑屏幕、移动电话、个人数字助理、平面电视等电子产品上。
液晶平面显示器中包括有液晶面板,通常液晶面板由阵列基板、彩膜基板以及封装于两基板之间的液晶组成。
先前阵列基板上通常外接有硅片制作的驱动芯片,但是现如今,直接将栅极驱动电路(gate driver IC)集成制作在阵列基板的栅极线引线区域上的技术已经产生。其中一种技术是将非晶硅栅极驱动电路(Amorphous Silicon Gate driver,ASG)与有源矩阵显示集成,即直接将栅极驱动电路(gate driver IC)集成制作在阵列基板的栅极线引线区域上,代替由外接硅片制作的驱动芯片。ASG的应用可以有效地使显示屏变轻,且可以增加显示器的可靠性,减少生产工艺程序,降低产品工艺成本,提高液晶显示面板的集成度。另外,也可以采用多晶硅栅极驱动电路集成制作在阵列基板的栅极线引线区域上,达到代替由外接硅片制作的驱动芯片的目的。但是无论哪种技术,当阵列基板上制作有栅极驱动电路时,阵列基板四周非显示区域上的膜层高度差异较大,发明人研究发现,上述高度差异是影响显示画面品质的本质原因之一。
发明内容
为解决上述阵列基板因四周非显示区域上的膜层具有较大高度差异而导致显示画面品质受影响的问题,本发明提供了以下技术方案。
本发明提供了一种用于液晶显示装置的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板中央为显示区域,所述显示区域四周为非显示区域;
所述非显示区域设置有栅极驱动电路和引线;
所述栅极驱动电路所在的区域形成有栅极驱动电路膜层;
所述引线所在的区域形成有引线膜层,所述引线膜层包括:
绝缘层,位于所述阵列基板的所述非显示区域上方;
钝化层,位于所述绝缘层上方;
多条沿同一方向延伸的引线,全部所述引线位于所述绝缘层的上方或者下方,或者一部分所述引线位于所述绝缘层上方,另一部分所述引线位于所述绝缘层下方;
所述引线膜层还包括一个或多个垫高片;
所述垫高片、绝缘层、钝化层和引线层叠。
优选的,所述垫高片、绝缘层、钝化层和引线层叠的厚度小于或等于所述栅极驱动电路膜层的最大厚度。
优选的,至少一条所述引线所在的区域设置一个或多个垫高片。
优选的,所述引线膜层包括第一垫高片、第二垫高片和第三垫高片中的至少一种垫高片,所述第一垫高片和所述第二垫高片位于所述绝缘层上面,所述第三垫高片位于所述绝缘层下面。
优选的,所述非显示区域包括栅极驱动电路区域、数据线引线区域和公共电极线引线区域;
位于所述数据线引线区域上的所述引线为数据线引线,位于所述公共电极线引线区域上的所述引线为公共电极线引线;
所述数据线引线区域上的所述引线膜层为数据线引线膜层,所述公共电极线引线区域上的所述引线膜层为公共电极线引线膜层;
所述数据线引线膜层和/或所述公共电极线引线膜层包括有第一垫高片、第二垫高片或者第三垫高片中的至少一种垫高片。
优选的,所述数据线引线位于所述绝缘层下面,每一条或者间隔至少一条所述数据线引线上方的所述绝缘层上面有至少一个所述第一垫高片,所述第一垫高片所在位置的所述数据线引线膜层从下到上为所述数据线引线、所述绝缘层、所述第一垫高片和所述钝化层。
优选的,所述数据线引线位于所述绝缘层上方,每一条或者间隔至少一条所述数据线引线下方的所述绝缘层上面有至少一个所述第二垫高片,所述第二垫高片所在位置的所述数据线引线膜层从下到上为所述绝缘层、所述第二垫高片、所述数据线引线和所述钝化层。
优选的,所述数据线引线位于所述绝缘层上方,每一条或者间隔至少一条所述数据线引线下方的所述绝缘层下面有至少一个所述第三垫高片,所述第三垫高片所在位置的所述数据线引线膜层从下到上为所述第三垫高片、所述绝缘层、所述数据线引线和所述钝化层。
优选的,所述数据线引线位于所述绝缘层上方,每一条或者间隔至少一条所述数据线引线下方的所述绝缘层上面和下面分别有至少一个所述第二垫高片和至少一个所述第三垫高片,所述第二垫高片和所述第三垫高片所在位置的所述数据线引线膜层从下到上为所述第三垫高片、所述绝缘层、所述第二垫高片、所述数据线引线和所述钝化层。
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