[发明专利]双界面智能卡芯片工作状态管理方法和装置

说明书

技术领域

本发明涉及智能卡领域，尤其涉及一种双界面智能卡芯片工作状态管理方法和装置。

背景技术

在双界面智能卡芯片中，接触式接口工作时要求SRAM高速运行，数据读写速度快，这样的静态随机存储器(SRAM)不管是平均电流和峰值电流都非常大；而在非接触式接口单独工作时，由于整个芯片的能量都是通过天线耦合过来的，获得的能量有限，要求SRAM运行时不管是平均电流和峰值电流都不能大，满足低功耗要求，而对速度的要求偏中。高速度和低功耗两者之间是一对矛盾，这样双界面卡芯片中SRAM高速和低电流不能同时满足，已有的技术方案就是在两者之间取折中，让接触式接口工作时SRAM运行速度别太快，而非接触式接口工作时SRAM的电流不能降低到很低的水平。

现有技术的缺点是：若要降低SRAM的平均电流和峰值电流，就要降低SRAM的工作速度；若要提高SRAM的工作速度，则其平均电流和峰值电流也会相应地增大，增加了SRAM上的功耗。两者相互制约，使得SRAM的工作速度不能够达到高速，其平均电流和峰值电流也不能够降低到比较低的水平，从而制约着双界面智能卡芯片的性能。

发明内容

本发明提供了一种双界面智能卡芯片工作状态管理方法和装置，解决了双界面智能卡芯片性能受SRAM工作状态限制的问题。

一种双界面智能卡芯片工作状态管理方法，包括：

接收指示信号，所述指示信号指示所述双界面智能卡芯片的SRAM的工作模式；

所述双界面智能卡芯片启动所述指示信号指示的工作模式。

优选的，上述双界面智能卡芯片工作状态管理方法还包括：

设置所述SRAM的工作模式和启动条件。

优选的，所述设置所述SRAM的工作模式和启动条件包括：

设置与有接触式接口相匹配的第一工作模式，所述第一工作模式的启动条件为所述指示信号内携带有指示启动所述第一工作模式的标识信号；

设置与非接触式接口相匹配的第二工作模式，所述第二工作模式的启动条件为所述指示信号内携带有指示启动所述第二工作模式的标识信号。

优选的，所述设置与有接触式接口相匹配的第一工作模式具体为：

将所述SRAM设置为高读写速度模式，具体为50MHz及以上的读写速度模式，在该模式下的平均电流在3mA-4mA内。

优选，所述设置与非接触式接口相匹配的第二工作模式具体为：

将所述SRAM设置为中低读写速度模式，具体为25MHz的读写速度模式，在该模式下的平均电流为0.8mA。

本发明还提供了一种双界面智能卡芯片工作状态管理装置，包括：

信号接收模块，用于接收指示信号，所述指示信号指示所述双界面智能卡芯片的SRAM的工作模式；

工作模式启动模块，用于所述双界面智能卡芯片启动所述指示信号指示的工作模式。

优选的，上述双界面智能卡芯片工作状态管理装置还包括：

设置模块，用于设置所述SRAM的工作模式和启动条件。

优选的，所述设置模块包括：

第一设置单元，用于设置与有接触式接口相匹配的第一工作模式，所述第一工作模式的启动条件为所述指示信号内携带有指示启动所述第一工作模式的标识信号；

第二设置单元，用于设置与非接触式接口相匹配的第二工作模式，所述第二工作模式的启动条件为所述指示信号内携带有指示启动所述第二工作模式的标识信号。

优选的，所述第一设置单元具体用于将所述SRAM设置为高读写速度模式。

优选的，所述第二设置单元具体用于将所述SRAM设置为中低读写速度模式。

本发明提供了一种双界面智能卡芯片工作状态管理方法和装置，接收指示信号，所述指示信号指示所述双界面智能卡芯片的SRAM的工作模式，所述双界面智能卡芯片启动所述指示信号指示的工作模式，为双界面智能卡的SRAM设置了多种适应不同接口的工作模式，实现了对SRAM工作模式的切换控制，解决了双界面智能卡芯片受SRAM工作状态限制的问题。

附图说明

图1为本发明的实施例一提供的一种双界面智能卡芯片工作状态管理方法的流程图；

图2为本发明的实施例二提供的一种双界面智能卡芯片工作状态管理装置的结构示意图；

图3为本发明的实施例二提供的又一种双界面智能卡芯片工作状态管理装置的结构示意图；

图4为图3中设置模块203的结构示意图。

具体实施方式