[发明专利]晶圆位置检测装置和检测方法有效
申请号: | 201210214030.3 | 申请日: | 2012-06-26 |
公开(公告)号: | CN103515264B | 公开(公告)日: | 2018-03-02 |
发明(设计)人: | 王坚;赵宇;吴均;陈福发;王晖 | 申请(专利权)人: | 盛美半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 陆嘉 |
地址: | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 位置 检测 装置 方法 | ||
1.一种晶圆位置检测装置,其特征在于,包括:
晶圆承载台,用于载置晶圆;
数个定位销,均匀间隔设置在所述晶圆承载台上,所述定位销用于顶起所述晶圆;
发射传感器和接收传感器,相对设置在所述晶圆承载台的外侧,所述发射传感器发射预设光强,所述接收传感器接收所述发射传感器发出的光强并产生相应的接收值,接收传感器将该接收值与预设的判断值比较,根据比较结果判定晶圆位置是否正确同时产生并发送晶圆位置是否正确的信号,其中所述发射传感器和所述接收传感器为两对或两对以上且均匀间隔设置在所述晶圆承载台的外侧;
控制器,与所述接收传感器相连,接收所述接收传感器发送的晶圆位置是否正确的信号并根据该信号产生控制信号控制所述定位销的升降并发出报警信号。
2.根据权利要求1所述的晶圆位置检测装置,其特征在于,所述发射传感器和所述接收传感器为光学传感器。
3.根据权利要求1所述的晶圆位置检测装置,其特征在于,所述发射传感器和所述接收传感器为光纤传感器。
4.根据权利要求1所述的晶圆位置检测装置,其特征在于,所述晶圆承载台上设置有若干均匀分布的凸起,用于承载所述晶圆。
5.根据权利要求4所述的晶圆位置检测装置,其特征在于,所述晶圆承载台具有圆环形且水平布置的基体,所述基体的顶表面的外边缘向上凸伸形成承载部,所述定位销和所述凸起设置在所述承载部上。
6.根据权利要求1所述的晶圆位置检测装置,其特征在于,所述定位销的侧部为倾斜的引导部。
7.一种晶圆位置检测方法,其特征在于,包括:
将晶圆放置于晶圆承载台上;
升起定位销;
由发射传感器发射预设光强,由接收传感器接收所述发射传感器发出的光强并产生相应的接收值,将该接收值与预设的判断值比较,根据比较结果判定晶圆位置是否正确同时产生并发送晶圆位置是否正确的信号,其中发射传感器和接收传感器为两对或两对以上且均匀间隔设置在晶圆承载台的外侧;
由控制器接收接收传感器发送的晶圆位置是否正确的信号并根据该信号产生控制信号控制所述定位销的升降和发出报警信号。
8.根据权利要求7所述的晶圆位置检测方法,其特征在于,由控制器接收接收传感器发送的晶圆位置正确的信号,并根据该信号产生第一控制信号使定位销下降,晶圆位置检测结束,将晶圆从所述晶圆承载台上取走。
9.根据权利要求7所述的晶圆位置检测方法,其特征在于,由控制器接收接收传感器发送的晶圆位置不正确的信号,并根据该信号产生第二控制信号使定位销下降,定位销下降数秒后,再次升起定位销重新检测所述晶圆位置是否正确,若接收传感器发送的信号依旧是晶圆位置不正确信号,控制器接收该信号并根据该信号发出报警信号。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造