[发明专利]蓄电装置及其电极以及蓄电装置的制造方法有效
| 申请号： | 201210213919.X | 申请日： | 2012-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN102842704A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 竹內敏彦;小国哲平;长多刚 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01M4/134 | 分类号： | H01M4/134;H01M4/1395 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶晓勇;王忠忠 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 装置 及其 电极 以及 制造 方法 | ||
1.一种蓄电装置的电极，包括：
集电体；以及
所述集电体上的活性物质层，
其中，所述活性物质层包括多个须状活性物质体，
并且，所述多个须状活性物质体是非晶。
2.根据权利要求1所述的蓄电装置的电极，其中所述活性物质层的材料是硅。
3.根据权利要求1所述的蓄电装置的电极，其中所述集电体是衬底上的金属层。
4.根据权利要求1所述的蓄电装置的电极，其中所述集电体的材料是钛。
5.根据权利要求1所述的蓄电装置的电极，其中每一个所述多个须状活性物质体部分性地包括结晶硅。
6.根据权利要求1所述的蓄电装置的电极，其中每一个所述多个须状活性物质体的体积的90％以上是非晶。
7.一种包括根据权利要求1所述的蓄电装置的电极的蓄电装置。
8.一种蓄电装置的电极，包括：
集电体；以及
所述集电体上的活性物质层，
其中，所述活性物质层包括多个须状活性物质体，
每一个所述多个须状活性物质体至少包括芯和覆盖该芯的外壳，
所述外壳为非晶，
并且，所述集电体与每一个所述多个须状活性物质体的所述芯之间的部分为非晶。
9.根据权利要求8所述的蓄电装置的电极，其中每一个所述多个须状活性物质体的所述芯的截面的宽度为50nm以上10000nm以下。
10.根据权利要求8所述的蓄电装置的电极，其中所述活性物质层的材料是硅。
11.根据权利要求8所述的蓄电装置的电极，其中所述集电体是衬底上的金属层。
12.根据权利要求8所述的蓄电装置的电极，其中所述集电体的材料是钛。
13.根据权利要求8所述的蓄电装置的电极，其中每一个所述多个须状活性物质体的所述芯是结晶硅。
14.根据权利要求8所述的蓄电装置的电极，其中每一个所述多个须状活性物质体的体积的90％以上是非晶。
15.一种包括根据权利要求8所述的蓄电装置的电极的蓄电装置。
16.一种蓄电装置的电极，包括：
集电体；以及
所述集电体上的活性物质层，
其中，所述活性物质层包括多个须状活性物质体，
并且，在所述集电体与所述活性物质层之间设置有厚度为50nm以下的混合层。
17.根据权利要求16所述的蓄电装置的电极，其中所述活性物质层的材料是硅。
18.根据权利要求16所述的蓄电装置的电极，其中所述集电体是衬底上的金属层。
19.根据权利要求16所述的蓄电装置的电极，其中所述集电体的材料是钛。
20.根据权利要求16所述的蓄电装置的电极，其中每一个所述多个须状活性物质体部分性地包括结晶硅。
21.根据权利要求16所述的蓄电装置的电极，其中每一个所述多个须状活性物质体的体积的90％以上是非晶。
22.根据权利要求16所述的蓄电装置的电极，其中所述混合层是所述集电体的硅化层。
23.一种包括根据权利要求16所述的蓄电装置的电极的蓄电装置。
24.一种蓄电装置的制造方法，包括如下步骤：
使用包含硅的气体利用LPCVD法在集电体或金属层上形成包括须状非晶硅的活性物质层。
25.根据权利要求24所述的蓄电装置的制造方法，其中所述集电体或所述金属层的材料是钛。
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