[发明专利]提高芯片电压测试精度方法无效
| 申请号： | 201210206527.0 | 申请日： | 2012-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN102707123A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 王华;季海英;叶建明;周建青 | 申请（专利权）人： | 上海华岭集成电路技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 芯片 电压 测试 精度 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高芯片电压测试精度方法，其特征在于：包括：
将一待测芯片的测试端接测试机；
将所述待测芯片的参考接地端接一电压误差小于所述测试机的电压误差的外部电源，外部电源的参考接地端与测试机的参考接地端相连；以及
所述测试机和所述外部电源向所述待测芯片提供电压，进行所述待测芯片的电压测试和/或电流测试。
2.根据权利要求1所述的提高芯片电压测试精度方法，其特征在于：所述外部电源的电压误差小于0.01％。
3.根据权利要求1所述的提高芯片电压测试精度方法，其特征在于：所述测试机的电压误差为0.1％-0.2％。
4.根据权利要求1所述的提高芯片电压测试精度方法，其特征在于：所述芯片的电压为10V-50V。
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