[发明专利]一种暖机方法及刻蚀方法无效
申请号: | 201210204132.7 | 申请日: | 2012-06-19 |
公开(公告)号: | CN103515176A | 公开(公告)日: | 2014-01-15 |
发明(设计)人: | 谢秋实 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01L21/00 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 方法 刻蚀 | ||
1.一种暖机方法,用于在暖机工艺时在腔室内壁形成聚合物以使腔室内达到工艺所需的工作状态,其特征在于包括以下步骤,
将含有碳和氢的气体通入所述腔室内,
将上述含有碳和氢的气体激发成等离子体,
借助所述含有碳和氢的等离子体在所述腔室内壁沉积一聚合物层。
2.根据权利要求1所述的暖机方法,其特征在于,所述含有碳和氢的气体包括CH4或CHF3。
3.根据权利要求2所述的暖机方法,其特征在于,通入所述腔室内的CH4的流量为5~20sccm。
4.根据权利要求3所述的暖机方法,其特征在于,通入所述腔室内的CH4的流量为10~15sccm。
5.根据权利要求2所述的暖机方法,其特征在于,通入所述腔室内的CHF3的流量为10~30sccm。
6.根据权利要求5所述的暖机方法,其特征在于,通入所述腔室内的CHF3的流量为15~25sccm。
7.根据权利要求2所述的暖机方法,其特征在于,还包括向所述腔室内通入BCl3气体。
8.根据权利要求7所述的暖机方法,其特征在于,所述BCl3的流量为60~150sccm。
9.根据权利要求1所述的暖机方法,其特征在于,在所述腔室内没有衬底时进行暖机工艺。
10.根据权利要求1所述的暖机方法,其特征在于,所述腔室内的气体压力为3-20mT。
11.根据权利要求1所述的暖机方法,其特征在于,激发等离子体的射频功率为1400~2400W,产生偏压的射频功率为150~400W。
12.根据权利要求1所述的暖机方法,其特征在于,所述腔室内的温度为-10~20℃。
13.一种刻蚀方法,包括暖机步骤和刻蚀衬底的步骤,其特征在于,所述暖机步骤采用权利要求1-12任意一项所述的暖机方法。
14.根据权利要求13所述的刻蚀方法,其特征在于,采用感应耦合等离子体实施所述暖机步骤和所述刻蚀衬底的步骤。
15.根据权利要求13所述的刻蚀方法,其特征在于,所述刻蚀衬底为蓝宝石衬底。
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