[发明专利]太阳能电池减反膜无效

专利信息
申请号: 201210201229.2 申请日: 2012-06-15
公开(公告)号: CN102738251A 公开(公告)日: 2012-10-17
发明(设计)人: 李乐良;郑军;左玉华;王启明;郑智雄 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所;南安市三晶阳光电力有限公司
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汤保平
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 太阳能电池 减反膜
【说明书】:

技术领域

本发明属于半导体技术中的减反射技术,特别是涉及一种太阳能电池减反膜,其是通过在太阳能电池片1引入一层硅胶或树脂,减少太阳能电池表面反射,提高其效率的技术。

背景技术

目前太阳能电池普遍存在效率不高的问题,其中一个原因是由于电池表面的反射率较大。现在工业上的做法基本都是在电池表面做倒金字塔绒面结构以及氮化硅单层减反膜。但单层减反膜的减反作用呈波浪式,并且在不同波长处的起伏较大,对于太阳光谱这样的宽光谱不能使每个波段得到好的减反效果。由于太阳光谱中600nm左右的光子数最多,因此通常采用的合适的氮化硅减反膜的厚度使得在600nm左右的反射率最低,此时在近紫外蓝光以及红外的反射率则比较高。有些专利和报道采用氧化锌,氧化钛,二氧化硅及其构成的多层结构,或者改进氮化硅的生长方式等进行改进,但需要加入额外工艺,减反效果也没有定量的阐述。

发明内容

本发明的目的在于,提供一种太阳能电池减反膜,其可提高太阳能电池效率,降低电池成本。

本发明提供一种太阳能电池减反膜,包括:

一太阳能电池片;

一覆盖层,该覆盖层制作在太阳能电池片上。

其中阳能电池片为体硅太阳能电池,体硅太阳能电池包括多晶硅和单晶硅电池。

其中太阳能电池片是通过氮化硅和/或氧化硅进行减反射和钝化。

其中该覆盖层的材料为硅胶或树脂。

其中该覆盖层的厚度为30μm-300μm。

其中覆盖层是通过涂覆或层压的方式覆盖在太阳能电池片上面。

其中覆盖层的折射率为1.3-1.6。

附图说明

为使审查员能进一步了解本发明的结构、特征及其目的,以下结合附图及较佳具体实施例详细说明如后,其中:

图1为本发明一实施例,其是太阳能电池片1上覆盖有一层硅胶或树脂2示意图;

图2为多晶硅太阳能电池片1覆盖硅胶前后的反射率对比图。

具体实施方式

请参阅图1所示,本发明的太阳能电池片1主要为体硅太阳能电池,包括多晶硅和单晶硅电池,不过也可以应用在非晶硅、碲化镉、铜铟镓硒等上,同样也具有减反射作用。该电池片表面一般具有绒面结构,并且有氮化硅或者二氧化硅钝化减反膜。对于薄膜太阳能电池尽管一般不具有绒面结构,但折射率的匹配仍然具有良好的减反射效果。

覆盖层2覆盖在太阳能电池片1上,该覆盖层2的材料一般为硅胶或树脂,这是出于折射率匹配以及材料可塑性的考虑。折射率匹配问题,根据反射率其中n1为入射光所在介质的折射率,n2为出射光所在介质的折射率,而透射率T=1-R,对于双层结构,则T=(1-R1)(1-R2),即T=(1-(n1-n2)2(n1+n2)2)(1-(n2-n3)2(n2+n3)2)]]>

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