[发明专利]太阳能电池减反膜无效
申请号: | 201210201229.2 | 申请日: | 2012-06-15 |
公开(公告)号: | CN102738251A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 李乐良;郑军;左玉华;王启明;郑智雄 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所;南安市三晶阳光电力有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 减反膜 | ||
1.一种太阳能电池减反膜,包括:
一太阳能电池片;
一覆盖层,该覆盖层制作在太阳能电池片上。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池减反膜,其中阳能电池片为体硅太阳能电池,体硅太阳能电池包括多晶硅和单晶硅电池。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池减反膜,其中太阳能电池片是通过氮化硅和/或氧化硅进行减反射和钝化。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池减反膜,其中该覆盖层的材料为硅胶或树脂。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池减反膜,其中该覆盖层的厚度为30μm-300μm。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池减反膜,其中覆盖层是通过涂覆或层压的方式覆盖在太阳能电池片上面。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池减反膜,其中覆盖层的折射率为1.3-1.6。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的