[发明专利]功率模块

权利要求书

1.一种功率模块，其特征在于具备：

半导体器件；

驱动电路，驱动所述半导体器件；

保护电路，检测在所述半导体器件的主电极间流过的主电流，在该主电流达到跳闸水平时进行所述半导体器件的保护工作；

活性工作检测部，检测所述半导体器件进行活性工作的情况；以及

跳闸水平切换电路，当检测出所述半导体器件进行活性工作的情况时，降低所述跳闸水平。

2.根据权利要求1所述的功率模块，其中，所述活性工作检测部是对供给到所述驱动电路的控制电源电压比规定值降低的情况进行检测的控制电源电压检测电路，

所述跳闸水平切换电路在所述控制电源电压比规定值低的情况下，降低所述跳闸水平。

3.根据权利要求1所述的功率模块，其中，

所述活性工作检测部是对施加在所述半导体器件的所述主电极间的主电压比规定值高的情况进行检测的主电压检测电路，

所述跳闸水平切换电路在所述主电压比规定值高的情况下，降低所述跳闸水平。

4.根据权利要求3所述的功率模块，其中，跳闸水平切换电路基于所述驱动电路的控制信号检测所述半导体器件的导通期间，在是所述半导体器件的导通期间且所述主电压比规定值高的情况下，降低所述跳闸水平。

5.根据权利要求1至权利要求4的任一项所述的功率模块，其中，所述半导体器件包含IGBT、RC-IGBT、MOSFET、双极晶体管的任一种。

6.根据权利要求1至权利要求4的任一项所述的功率模块，其中，所述半导体器件包含由宽带隙半导体形成的开关元件。

7.根据权利要求1至权利要求4的任一项所述的功率模块，其中，

所述半导体器件包含开关元件和与其反并联连接的二极管，

所述开关元件和二极管的至少一方由宽带隙半导体形成。

8.一种功率模块，其特征在于具备：

半导体器件；

驱动电路，驱动所述半导体器件；

保护电路，检测在所述半导体器件的主电极间流过的主电流，在该主电流达到跳闸水平时进行所述半导体器件的保护工作；

外部电源输入端子，接收来自外部电源的外部电源电压；

内部电源，生成内部电源电压；以及

电源选择部，选择性地将所述外部电源电压和所述内部电源电压作为控制电源电压对所述驱动电路供给。

9. 根据权利要求8所述的功率模块，其中，

所述电源选择部是切换所述外部电源电压和所述内部电源电压，作为控制电源电压对所述驱动电路供给的电源切换电路，

所述电源切换电路在所述外部电源电压比规定值降低的情况下，对所述驱动电路供给所述内部电源电压。

10. 根据权利要求8所述的功率模块，其中，在所述电源选择部中，将所述外部电源电压和所述内部电源电压中的高的一方作为控制电源电压对所述驱动电路供给。

11. 根据权利要求10所述的功率模块，其中，

所述电源选择部包含：

第1单向性元件，将所述外部电源电压对所述驱动电路供给；以及

第2单向性元件，将所述内部电源电压对所述驱动电路供给。

12.根据权利要求8至11的任一项所述的功率模块，其中，所述半导体器件包含IGBT、RC-IGBT、MOSFET、双极晶体管的任一种。

13.根据权利要求8至11的任一项所述的功率模块，其中，所述半导体器件包含由宽带隙半导体形成的开关元件。

14.根据权利要求8至11的任一项所述的功率模块，其中，

所述半导体器件包含开关元件和与其反并联连接的二极管，

所述开关元件和二极管的至少一方由宽带隙半导体形成。